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李有忠

作品数:11 被引量:0H指数:0
供职机构:苏州大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇电路
  • 6篇反相器
  • 4篇灵敏放大器
  • 4篇架构
  • 4篇存储器
  • 3篇电路版图
  • 3篇电容耦合
  • 3篇输出端
  • 3篇基准电路
  • 3篇放大器
  • 3篇放大器电路
  • 3篇版图
  • 3篇串联型
  • 2篇电流
  • 2篇误操作
  • 2篇线控
  • 2篇线控制
  • 2篇OTP
  • 2篇MRAM
  • 2篇产生电路

机构

  • 11篇苏州大学

作者

  • 11篇李有忠
  • 10篇张立军
  • 8篇王子欧
  • 6篇季爱明
  • 5篇张一平
  • 3篇吴澄
  • 3篇鲁征浩
  • 2篇朱灿焰
  • 1篇吴浩

年份

  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2013
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种提高SRAM良率的补偿电路
本发明公开了一种提高SRAM良率的补偿电路,尤其包括以PMOS补偿电路,PMOS补偿电路的时序追踪位线DBL路径的一端与时序追踪单元Dummy Cell的一端连接,时序追踪位线DBL路径的另一端连接时序控制电路FSM L...
吴澄张立军季爱明李有忠佘一奇桑胜男马亚奇顾昌山
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一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接到...
张一平王子欧张立军李有忠季爱明朱灿焰
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一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本发明公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连接到...
张一平王子欧张立军李有忠季爱明
一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路
本发明公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路,其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器;所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端连接...
张一平王子欧季爱明张立军李有忠
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一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路
本实用新型公开了一种基于STT‑MTJ的MRAM单元控制电路,其包括第一字线逻辑电路、负脉冲产生电路、第二字线控制电路、第一反相器和第二反相器;所述第一字线逻辑电路的输出端连接到第一反相器的输入端,所述第一反相器的输出端...
张一平王子欧季爱明张立军李有忠
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一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本实用新型公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连...
张一平王子欧张立军李有忠季爱明
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基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元及存储器
本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元及存储器,包括对称分布的第一、第二两管串联型Nor flash单元,第一两管串联型Nor flash单元包括PMOS晶体管M1和浮栅晶体管M2,第...
张立军王子欧鲁征浩李有忠刘金陈陈泽翔
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应力对体硅和硅纳米线特性影响的第一性原理研究
鉴于应变硅技术在当今集成电路领域的广泛应用,本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算集中研究了应力对体硅和硅纳米线物理、电学特性的影响。首先,我们计算了体硅在静水压、双轴应力和单轴应力下的能带结构、导带底能量分裂和带隙...
李有忠
关键词:硅纳米线第一性原理
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基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器
本发明公开了一种基于熔丝特性的改进的差分架构OTP存储单元及存储器,包括呈差分对称结构的第一、第二晶体管熔丝串联型OTP存储单元,第一晶体管熔丝串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和熔丝R1,第二晶体管熔丝...
鲁征浩张立军王子欧陈泽翔李有忠刘金陈
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基于串联晶体管型的改进的差分架构OTP存储单元及存储器
本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构OTP存储单元及存储器,包括呈差分对称结构的第一、第二两管串联型OTP存储单元,第一两管串联型OTP存储单元包括串联的PMOS晶体管MP1和PMOS晶体管MP2,第二两管串...
张立军吴澄王子欧鲁征浩陈泽翔李有忠刘金陈
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共2页<12>
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