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杨兆年

作品数：10 被引量：10H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 6篇静电放电
  • 6篇CMOS工艺
  • 5篇电路
  • 5篇箝位
  • 5篇箝位电路
  • 4篇偏置
  • 2篇等效电阻
  • 2篇电离
  • 2篇整流
  • 2篇整流器
  • 2篇碰撞电离
  • 2篇偏置电路
  • 2篇偏置电压
  • 2篇总剂量
  • 2篇静电保护
  • 2篇可控硅
  • 2篇可控硅整流器
  • 2篇检测电路
  • 2篇沟道
  • 2篇硅整流

机构

  • 10篇西安电子科技...

作者

  • 10篇杨兆年
  • 8篇刘红侠
  • 2篇卓青青
  • 2篇蔡惠民
  • 2篇朱嘉
  • 1篇彭里
  • 1篇李立
  • 1篇郝跃
  • 1篇费晨曦

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
90nm CMOS工艺下3×V_(DD)容限静电检测电路被引量：1
2015年
提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技术来控制触发晶体管并进而开启箝位器件(可控硅整流器),同时采用多级叠加结构以承受高电压应力.在静电放电时,该电路能产生38mA的触发电流.在3×VDD电压下工作时,每个器件都处于安全电压范围,在25℃时漏电流仅为52nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于3×VDD容限的接口缓冲器.
杨兆年刘红侠朱嘉
关键词：检测电路静电泄放
90纳米CMOS工艺下带偏置电路的静电放电箝位电路
本发明公开了一种90纳米CMOS工艺下带偏置电路的静电放电箝位电路，主要解决现有90纳米CMOS工艺下的静电放电箝位电路中，RC网络静态漏电大的问题。该电路包括RC网络、反相器、箝位器件和偏置电路；偏置电路给RC网络里的...
刘红侠杨兆年
文献传递
CMOS工艺静电保护电路与器件的特性研究和优化设计
随着半导体工艺的发展，特别是CMOS工艺的特征尺寸不断减小以及各种新型工艺步骤的引入，半导体器件和电路对电过应力的天然承受能力在持续下降。而人们对于集成电路更高性能的追求，又使得静电放电（ESD）保护的设计更加困难。本文...
杨兆年
关键词：静电放电保护可控硅整流器箝位电路优化设计CMOS工艺
量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型
2012年
Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了Ge组分、缓冲层厚度、Si帽层厚度和衬底掺杂对阈值电压的影响.由于SiGe沟道层较薄,计算中考虑了该层价带势阱中的量子化效应.当栅电压绝对值过大时,由于能带弯曲和能级分裂造成SiGe沟道层中的空穴会越过势垒到达Si/SiO2界面,从而引起器件性能的退化.建立了量子阱SiGe PMOSFET沟道层的空穴面密度模型,提出了最大工作栅电压的概念,对由栅电压引起的沟道饱和进行了计算和分析.研究结果表明,器件的阈值电压和最大工作栅压与SiGe层Ge组分关系密切,Ge组分的适当提高可以使器件工作栅电压范围有效增大.
李立刘红侠杨兆年
关键词：SIGE阈值电压
偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响被引量：5
2012年
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性.研究结果表明:器件辐照时的栅偏置电压越高,辐照后栅氧化层中积累的空穴陷阱电荷越多,引起的漏极泄漏电流越大.对于漏偏置为5V的器件,当栅电压大于阈值电压时,前栅ID-VG特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大,体电极的电流曲线呈现倒立的钟形.
卓青青刘红侠杨兆年蔡惠民郝跃
关键词：总剂量辐照效应泄漏电流碰撞电离
90纳米CMOS工艺下带偏置电路的静电放电箝位电路
本发明公开了一种90纳米CMOS工艺下带偏置电路的静电放电箝位电路，主要解决现有90纳米CMOS工艺下的静电放电箝位电路中，RC网络静态漏电大的问题。该电路包括RC网络、反相器、箝位器件和偏置电路；偏置电路给RC网络里的...
刘红侠杨兆年
文献传递
总剂量辐照条件下部分耗尽半导体氧化物绝缘层N沟道金属氧化物半导体器件的三种kink效应
2013年
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的"kink"现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.
卓青青刘红侠彭里杨兆年蔡惠民
关键词：总剂量效应KINK效应碰撞电离
CMOS工艺静电保护电路与器件的特性分析和优化设计
随着半导体工艺的发展,特别是CMOS工艺的特征尺寸不断减小以及各种新型工艺步骤的引入,半导体器件和电路对电过应力的天然承受能力在持续下降。而人们对于集成电路更高性能的追求,又使得静电放电(ESD)保护的设计更加困难。本文...
杨兆年
关键词：箝位电路
文献传递
90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路被引量：2
2015年
提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后,仍然可以自行关断,而不会进入闩锁状态.在3V静电放电仿真时,该电路能产生28mA触发电流,以开启箝位器件来泄放静电电荷.在25℃正常电压下工作时,漏电流仅为42(45)nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于纳米级CMOS工艺的集成电路静电保护.
杨兆年刘红侠朱嘉费晨曦
关键词：检测电路静电放电
带有反馈加强的电压触发的静电放电箝位电路
本发明公开了一种带反馈加强的电压触发的静电放电箝位电路，主要解决现有电压触发的静电放电箝位电路中，箝位器件泄放效率低的问题。该电路包括触发电路、反馈电路和箝位器件；触发电路检测到静电放电后，给反馈电路输入偏置电压Vb，反...
刘红侠杨兆年
文献传递
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