杨凤霞
- 作品数：19 被引量：56H指数：5
- 供职机构：华中科技大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 脉冲激光制膜过程中等离子体演化规律的研究被引量：10
- 2003年
- 利用有限差分法对脉冲激光沉积 (PLD)技术制备KTa0 6 5Nb0 35O3(KTN)薄膜过程中等离子体在等温和绝热两个阶段的速度演化进行了模拟 ,并给出了其中主要粒子在空间的具体演化规律 ,对等离子体在空间膨胀的物理机制 ,进行了深入的讨论 ,给出了相应演化过程的物理图像 ,并揭示了等离子体羽辉在膨胀过程中呈现椭球外形的内在原因 .
- 张端明关丽李智华钟志成侯思普杨凤霞郑克玉
- 关键词：脉冲激光沉积等离子体有限差分
- Synthesis and Characterization of Silver Selenide Particles and Bulk
- sodium chloride, selenide powder and ethylenediamine were used as precursors and silver selenide nanometer par...
- 杨凤霞邓宗伟张端明郑克玉
- KTa_(0.65)Nb_(0.35)O_3陶瓷粉体的合成及铁电性质研究
- 2006年
- 以Nb2O5和Ta2O5为前驱反应物,KOH为矿化剂,采用异丙醇为反应介质,成功地合成了KTa0.65Nb0.35O3陶瓷粉体.采用XRD、FEESM和FT-IR等测试方法表征发现KTN粉体是四方相、纯钙钛矿结构,晶粒形状呈规则的立方体,边长分布约为100~300 nm.实验表明:在水热合成过程中,反应溶剂、矿化剂KOH的摩尔浓度和反应温度是影响KTN粉体结构和形貌的关键因素,合成反应的优化工艺条件是KOH浓度1~2mol.L-1,反应温度523 K,反应时间8 h;用Rad iant 66铁电测试系统测量剩余极化强度为Pz^2.5μC/cm2,且随外加电场增强而增大.
- 钟志成张端明韩祥云魏念杨凤霞胡界博
- 关键词：溶剂热
- 多种全息光栅的制备技术及光学信息存储在实验室实现的研制
- 全息光栅的种类很多,根据不同用途的需要,制备各种光栅的方法相继出现。目前全息光栅的种类有：低频全息光栅(振幅或位相)、高频全息光栅(振幅或位相)、信息存储等。它们在实验室制备技术上有相似之处,只作定义上的调整,全息干版就...
- 赵美蓉唐超群刘会平杨凤霞刘立
- 关键词：全息光栅实验室
- 压电复合材料的电弹耦合特性分析被引量：6
- 2005年
- 利用Eshelby理论及Mori Tanaka平均场原理, 推导出压电陶瓷/聚合物两相复合材料的有效电弹模量表达式。该表达式能反映两相材料复合的物理本质。并以椭圆柱形压电纤维增强的聚合物基复合材料为例,分析压电复合材料的电弹耦合特性。结果表明: 复合材料的平均电弹模量在很大程度上取决于电弹耦合效应;该效应与组成相的空间连接型、体积占有率及压电夹杂形状有关; 耦合效应的存在是由各组成相材料性能差异引起的。
- 杨凤霞李智华张端明韩祥云钟志成郑克玉魏念关丽
- 关键词：压电复合材料
- 高介电高压电活性PLZT陶瓷材料的研究
- 2003年
- 利用改进的固相烧结工艺设计和制备出一种具有高介电常数、高压电系数的PLZT陶瓷材料。研究了Sb2O3、BaTiO3的不同掺杂量对PLZT陶瓷的介电性能和压电性能的影响。实验发现,当Sb2O3和BaTiO3含量的质量百分比均为0.5%时,PLZT陶瓷的介电性能、压电性能较佳,相应的物理参数为:频率为1kHz时室温相对介电常数εr=4500,压电常数d33=640pC/N,压电耦合系数kp=0.7,密度ρv=7.914g/cm3,居里温度Tc=213℃,介电损耗tgδ=0.0175。该材料在叠层电容器、压电陶瓷固体继电器、压电驱动器及压电电声器件等方面具有良好的应用前景。
- 郑克玉张端明周桃生杨凤霞李智华马海峰严文生
- 关键词：介电性压电性能固相烧结掺杂锆钛酸铅
- 基体电导率对0-3型铁电复合材料高压极化行为及损耗的影响被引量：3
- 2008年
- 提出了一个0-3型聚合物基铁电复合材料的直流高压极化模型.模型中考虑了聚合物/铁电陶瓷界面处自由电荷的积聚及极化初始时刻的真实情况,利用拉普拉斯静电场方程,并结合边界条件,得到了直流高压极化过程中复合材料的极化强度、界面电流密度等随时间的演化方程,同时得到介电常数、介质损耗等物理特性的表达式.此外,实验制备了分别以环氧树脂E-44和铁电共聚物P(VDF-TrFE)为基体的两种0-3型铁电复合材料.从理论和实验两方面研究了基体电导率对极化行为以及介质损耗的影响.两方面结果均表明:随基体电导率增加,极化时间缩短,陶瓷相的极化强度及复合材料的整体电性能提高,但是漏电流及介质损耗增加.而且实验结果与直流高压极化模型的预测结果符合.
- 杨凤霞张端明邓宗伟姜胜林徐洁李舒丹
- 关键词：铁电复合材料电导率极化介质损耗
- PZT四方相区介电常数ε_r与晶格畸变关系的研究被引量：8
- 2004年
- 从Haun的PZT热力学理论出发 ,给出了PZT四方相区介电常数εr 与晶格畸变c a关系的基本方程 ,并深入地根据相关实验资料和物理图像的合理推论 ,建立了关于晶格畸变c a与介电常数εr 相互依赖的基本关系式 .然后 ,根据该基本关系式仔细地研究了PZT四方相区晶格畸变c a对介电常数εr 影响的物理图像 .与相关实验资料比较表明 ,基本关系式得到的介电常数εr 随晶格畸变c a的变化规律 ,与相关实验结果相比较 ,两者吻合得很好 .最后并对该基本关系式的适用范围 ,和范围以外存在的相对偏差产生的物理原因进行了讨论 .必须强调指出 ,本文建立的基本关系式实质上适用于所有四方相区钙钛矿结构材料晶格畸变对介电常数影响 .
- 张端明严文生钟志成杨凤霞郑克玉李智华
- 关键词：晶格畸变介电常数四方相PZT钙钛矿结构
- 铁电KTa_(0.65)Nb_(0.35)O_3陶瓷粉体的溶剂热法制备及机理研究
- 2006年
- 以Nb2O5和Ta2O5为前驱反应物，KOH为矿化剂，采用异丙醇为反应介质的溶剂热法，成功地合成了四方相、纯钙钛矿结构KTa0.65Nb0.35O3陶瓷粉体．晶粒形状呈规则的立方体，边长分布约为100～300nm；结果表明：水热合成过程中，反应溶剂、矿化剂KOH的摩尔浓度和反应温度是影响KTN粉体结构和形貌的关键因素．合成反应的最佳实验条件是KOH浓度1～2M，反应温度250℃，时间8h．
- 钟志成张端明韩祥云魏念杨凤霞胡界博
- 关键词：溶剂热
- 脉冲激光制备薄膜材料的烧蚀机理被引量：18
- 2004年
- 研究了脉冲激光烧蚀靶材的整个过程 .从包含热源项的导热方程出发 ,利用适当的动态边界条件 ,详细研究了靶材在熔融前后的温度分布规律 ,并且给出了熔融后的固、液分界面的变化规律 .熔融后的温度演化规律和固液相界面均以解析表达式的形式给出 .还根据能量平衡原理给出烧蚀面位置随时间的变化规律 .以硅靶材为例计算模拟了激光烧蚀的整个过程 ,与实验结果符合较好 .
- 张端明侯思普关丽钟志成李智华杨凤霞郑克玉
- 关键词：脉冲激光沉积薄膜生长熔融
