杨璠
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
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- 1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
- 1991年
- 本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。
- 朱志文李金良计敏伍锋邓履清杨璠
- 关键词：光纤通信发光二极管金属化封装
- 锥形微透镜保偏光纤与超辐射发光二极管的耦合被引量：2
- 2006年
- 对采用锥形光纤微透镜的保偏光纤与超辐射发光二极管的耦合进行了理论分析。制作出几种不同的微透镜保偏光纤,并对它们进行了耦合试验,找到了制作具有高耦合效率的微透镜保偏光纤的方法。
- 刘骁陈于武杨璠
- 关键词：超辐射发光二极管
- 单模光纤与条形波导的耦合封装技术被引量：2
- 1989年
- 本文对单模光纤与条形波导的耦合封装技术进行了评述。使用改进后的“倒装”耦合技术进行了耦合实验,完成了单模光纤耦合 Ti:LiNbO_3波导相位调制器的封装,达到了光纤/器件(2厘米长波导)/光纤总插入损耗小于5dB。同时,阐述了耦合技术的发展方向。
- 杨璠
- 关键词：集成光学单模光纤条形波导
- 单模光纤全金属化耦合封装1．3μm侧面发光二极管被引量：1
- 1994年
- 阐述了１．３μｍ侧面发光二极管（ＥＬＥＤ）到单模光纤的耦合和实验结果。获得了在１００ｍＡ的驱动电流下，对于芯径为８～１０μｍ的标准单模光纤，最大尾纤输出功率大于５０μＷ，典型值２０μＷ的同轴式、扁平式、１４针双列直插式的全金属化耦合封装器件具有较高的可靠性和温度稳定性。
- 杨璠
- 关键词：发光二极管单模光纤耦合封装
- 全金属化耦合封装的大功率半导体激光器模块被引量：1
- 2011年
- 大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高,耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合,耦合效率达到87%;采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固定,实现了大功率半导体激光器模块的全金属化封装。通过环境考核试验证明,模块储存温度达到-60～120℃,能够满足许多特殊环境对半导体激光器模块的要求。
- 郭洪杨璠孙迎波
- 关键词：金属化耦合封装半导体激光器
- 850nm微型化封装超辐射发光二极管模块被引量：1
- 2014年
- 研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管（SLD）模块,该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装,通过对模块结构的优化设计,使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下,尾纤输出功率大于1.5mW,光谱宽度大于20nm,纹波系数小于0.5dB,同时选用高效率微型半导体制冷器（TEC）,使其正常工作温度范围和储存温度范围分别达到-50-75℃和-60-100℃。
- 孙迎波陈广聪杨璠郭洪钟正英
- 1.3μm波长超辐射发光二极管组件被引量：5
- 1995年
- 光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验，确定了器件的结构，在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用１４针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括ＳＬＤ、光监视用ＰＩＮ光探测器、热敏电阻和半导体致冷器，可通过外电路对组件实现温控、光控，以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于３００μＷ，最大超过７００μＷ，光谱宽度大于３０ｎｍ。
- 朱志文蔡开清杨璠计敏易向阳唐祖荣陈其道罗江财
- 关键词：发光二极管传感器光纤陀螺半导体器件
- 高温高效率半导体激光器阵列封装结构研究被引量：1
- 2021年
- 分析了热沉和陶瓷基板对背冷式封装结构半导体激光器阵列性能的影响。通过栅格化厚铜填充技术降低了复合金刚石热沉的等效电阻,并实现了热膨胀系数匹配;采用热沉和陶瓷基板嵌入焊接技术,提高了封装散热能力和稳定性。制作了间距为0.4mm的5Bar条芯片阵列样品,在70℃热沉温度、200A工作电流(占空比为1%)条件下进行性能测试,结果显示器件输出功率为1065W、电光转换效率为59.2%。在高温大电流条件下进行了1824h寿命试验,器件表现出良好的可靠性。
- 杨璠刘刚明杨帆吴寸雪闫治晚刘骁
- 关键词：半导体激光器阵列二极管激光器高温封装
