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林志宇

作品数：68 被引量：9H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 9篇会议论文
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 23篇氮化
  • 23篇衬底
  • 15篇纳米
  • 15篇GAN
  • 14篇二极管
  • 12篇纳米线
  • 12篇成核
  • 11篇氮化镓
  • 11篇SUB
  • 10篇氮化铝
  • 10篇氮化物
  • 10篇氮化镓薄膜
  • 10篇溅射
  • 10篇过渡层
  • 10篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 9篇欧姆接触
  • 9篇化物
  • 8篇砂纸
  • 8篇图形衬底

机构

  • 68篇西安电子科技...

作者

  • 68篇林志宇
  • 65篇张进成
  • 62篇郝跃
  • 40篇许晟瑞
  • 18篇姜腾
  • 17篇李培咸
  • 16篇张金风
  • 14篇牛牧童
  • 13篇宁静
  • 12篇赵颖
  • 11篇张春福
  • 10篇陈智斌
  • 10篇庞凯
  • 9篇杨林安
  • 8篇孟锡俊
  • 8篇吕玲
  • 6篇马俊彩
  • 6篇刘子扬
  • 6篇范晓萌
  • 5篇薛军帅

传媒

  • 4篇第13届全国...
  • 3篇物理学报
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇空间电子技术
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 3篇2020
  • 14篇2019
  • 5篇2018
  • 16篇2017
  • 9篇2016
  • 1篇2015
  • 9篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法
本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti；(2)将...
许晟瑞姜腾郝跃张进成张春福林志宇陆小力倪洋
文献传递
基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极，其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法
本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两...
毛维丛冠宇杜鸣郝跃张金风林志宇
文献传递
基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
文献传递
基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究被引量：1
2013年
文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.
陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成
关键词：共振隧穿二极管GAN电离率
InN薄膜的热退火特性研究
全汝岱张进成崔培水林志宇郝越
GaN同质外延再生长界面杂质去除方法研究
AlGaN/GaN HEMT由于其具有高的击穿场强,高的饱和速度在高频大功率器件中具有显著的优势.实际应用中的GaN材料基本都是在蓝宝石、碳化硅、硅材料等异质衬底上外延获得,由于GaN薄膜和异质衬底之间存在大的晶格失配和...
陈智斌张进成张帅曾鹊肖明全汝岱林志宇郝跃
基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
本发明公开了一种基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED结构复杂，工艺周期长的问题。其包括：c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
许晟瑞彭若诗赵颖林志宇孟锡俊张进成刘大为李培咸牛牧童黄俊郝跃
文献传递
金属催化剂厚度对GaN纳米线生长方向的影响
氮化镓基一维纳米材料由于其独特的物理性质和在电子学和光电子学上的潜在应用而备受广泛关注.GaN基纳米线已经被广泛的应用于太阳能电池,激光器,LED等领域的研究.但目前GaN纳米线的制备仍然是制约研究进展的一个重要方面.G...
姜腾许晟瑞张进成林志宇曾鹊陈智斌肖明郝跃
基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法
本发明公开了一种基于纳米球掩膜的低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管制备方法，主要解决GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻较大的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO<Sub>2</Sub>；在淀积有SiO<Sub...
张进成张燕妮周弘林志宇封兆青肖明宁静郝跃
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