林志宇
- 作品数:68 被引量:10H指数:2
- 供职机构:西安电子科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法
- 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性GaN纳米线材料及其制作方法,主要解决常规极性GaN纳米线生长中工艺复杂、生长温度高、纳米线长度短的问题。其生长步骤是:(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1‑20nm金属Ti;(2)将...
- 许晟瑞姜腾郝跃张进成张春福林志宇陆小力倪洋
- 基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
- 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED生长步骤多,工艺周期长的问题。其自下而上包括:c面SiC衬底层、AlN成核层、发光层和电极,其中AlN成核层由Ⅴ/Ⅲ比为15000‑230...
- 许晟瑞彭若诗范晓萌林志宇刘大为张进成孟锡俊李培咸牛牧童马德璞郝跃
- 分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法
- 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件,其自下而上包括:漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10),势垒层(7)上的两...
- 毛维丛冠宇杜鸣郝跃张金风林志宇
- 基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
- 本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法,主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是:(1)生长二硫化钼过渡层;(2)磁控溅射氮化铝过渡层;(3)热处理;(4)生长氮化铝缓冲层;(5)生长低V?Ш比氮化...
- 张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
- 基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究被引量:1
- 2013年
- 文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.
- 陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成
- 关键词:共振隧穿二极管GAN电离率
- 非极性a面GaN堆垛层错抑制研究
- 常规的GaN是在极性面c面蓝宝石衬底上生长的,GaN基高电子迁移率晶体管的出色性能主要因为A1GaN/GaN异质结界面存在着高密度和高迁移率的2DEG,这层2DEG是由于异质结中较大的导带不连续性以及较强的极化效应产生的...
- 许晟瑞刘子扬姜腾林志宇周昊张进成郝跃
- 关键词:GAN非极性堆垛层错
- 双沟道AlGaN/GaN异质结构
- 采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,S...
- 付小凡王昊林志宇马俊彩刘子扬张进成郝跃
- 关键词:ALGAN/GAN
- InN薄膜的热退火特性研究
- 全汝岱张进成崔培水林志宇郝越
- GaN同质外延再生长界面杂质去除方法研究
- AlGaN/GaN HEMT由于其具有高的击穿场强,高的饱和速度在高频大功率器件中具有显著的优势.实际应用中的GaN材料基本都是在蓝宝石、碳化硅、硅材料等异质衬底上外延获得,由于GaN薄膜和异质衬底之间存在大的晶格失配和...
- 陈智斌张进成张帅曾鹊肖明全汝岱林志宇郝跃
- 基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管
- 本发明公开了一种基于c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底的c面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED结构复杂,工艺周期长的问题。其包括:c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
- 许晟瑞彭若诗赵颖林志宇孟锡俊张进成刘大为李培咸牛牧童黄俊郝跃