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文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇单晶
  • 8篇单晶薄膜
  • 5篇紫外探测
  • 5篇衬底
  • 4篇光电
  • 3篇探测器
  • 3篇紫外探测器
  • 2篇电器件
  • 2篇电子器件
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅基
  • 2篇紫外波段
  • 2篇纤锌矿
  • 2篇金属
  • 2篇金属单晶
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇光电器件
  • 2篇光电子

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇梅增霞
  • 9篇杜小龙
  • 9篇梁会力
  • 9篇梁爽
  • 6篇崔秀芝
  • 5篇叶大千
  • 5篇侯尧楠
  • 5篇刘章龙
  • 4篇刘尧平
  • 2篇张生利
  • 2篇李俊强
  • 1篇谷林
  • 1篇张庆华
  • 1篇禹日成
  • 1篇顾长志

传媒

  • 2篇第五届届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
在Si衬底上制备纤锌矿相M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O单晶薄膜的方法
本发明提供一种在Si衬底上制备M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O(M=Mg,Be)单晶薄膜的方法,包括:在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜;氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层;在BeO单晶层上...
梅增霞梁会力梁爽叶大千刘章龙崔秀芝刘尧平杜小龙
文献传递
一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法
本发明公开了一种p型6H-SiC(0001)衬底上基于PIN异质结构的紫外探测材料的制备方法,制备过程依次分为以下几步:在超高真空环境下热处理获得清洁表面,沉积10~100nm厚的金属氧化物绝缘层,高温沉积BeO缓冲层,...
梁爽梅增霞梁会力崔秀芝杜小龙
文献传递
MgZnO单晶薄膜的界面工程及日盲紫外探测器研制
作为第三代半导体的核心基础材料,ZnO具有非常优越的光电性能,在低阈值、高效率的短波长光电子器件领域有着极为广阔的应用前景.目前ZnO在国际上最被看好的潜在应用之一是高性能的深紫外(尤其是日盲紫外)探测器.理论上通过Mg...
梁会力侯尧楠刘章龙叶大千梁爽梅增霞杜小龙
Si基深紫外探测材料--MgZnO单晶薄膜的界面控制生长及器件应用研究
梁会力杜小龙梅增霞侯尧楠张庆华谷林梁爽叶大千顾长志禹日成
一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法
本发明公开了一种p型6H-SiC(0001)衬底上基于PIN异质结构的紫外探测材料的制备方法,制备过程依次分为以下几步:在超高真空环境下热处理获得清洁表面,沉积10~100nm厚的金属氧化物绝缘层,高温沉积BeO缓冲层,...
梁爽梅增霞梁会力崔秀芝杜小龙
一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法,该方法通过“表面+界面+缓冲层”的生长方法在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法,具体步骤为:对蓝宝石(0001)衬底表面进行超高真空热处理结合氧等离子...
梅增霞梁会力梁爽刘章龙李俊强侯尧楠刘尧平崔秀芝张生利杜小龙
文献传递
硅基异质结紫外探测器及其制造方法
本发明提供一种Si基异质结紫外探测器,包括:p型Si衬底;p型Si衬底上的BeO界面层;BeO界面层上的n型M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O薄膜层,其中M为Mg或Be,0≤x≤1。本发明还提供...
侯尧楠梅增霞梁会力叶大千梁爽杜小龙
文献传递
在Si衬底上制备纤锌矿相M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O单晶薄膜的方法
本发明提供一种在Si衬底上制备M<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O(M=Mg,Be)单晶薄膜的方法,包括:在Si衬底表面上沉积Be金属单晶薄膜;氧化Be金属薄膜以获得BeO单晶层;在BeO单晶层上...
梅增霞梁会力梁爽叶大千刘章龙崔秀芝刘尧平杜小龙
文献传递
一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法,该方法通过“表面+界面+缓冲层”的生长方法在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法,具体步骤为:对蓝宝石(0001)衬底表面进行超高真空热处理结合氧等离子...
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