樊双利
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目广东省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 感应耦合等离子体干法刻蚀锑化铟薄膜研究被引量：2
- 2004年
- 应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀。朗缪尔探针诊断结果表明 :射频电源功率为 2 0 0 W时 ,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达 6.71 70× 1 0 1 0 cm- 3。以 CCl F2 为刻蚀气体 ,进气流量 2 m L/min,RF功率 2 0 0 W,等离子体反应刻蚀运行气压 7.98Pa时 ,对 In Sb-In薄膜进行了感应耦合等离子体干法刻蚀 ,获得刻蚀图形 ,宽深比为
- 陈俊芳吴先球孙番典赵智昊樊双利符斯列黄钊洪
- 关键词：干法刻蚀等离子体
- 氮化硅钝化膜的制备和应用
- 2005年
- 利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化。对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率。
- 陈俊芳吴先球樊双利王鑫任兆杏
- 关键词：光电子学芯片
