武一宾
- 作品数：37 被引量：39H指数：4
- 供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- InAs/GaAs系列量子点研究
- 2009年
- 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。
- 王建峰商耀辉武一宾牛晨亮卜夏正
- 关键词：自组装量子点分子束外延光致发光谱
- GaAs基插入结构高击穿电压功率场效应晶体管研制
- 杨瑞霞袁炳辉何大为武一宾张志国陈宏江
- 该项目是河北省自然科学基金资助项目。针对目前国产GaAsMESFET击穿电压低的问题，以改善GaAs MESFET击穿特性、提高器件可靠性和稳定性为目的，研究了GaAs MESFET的击穿机理，设计了一种带插入层的MES...
- 关键词：
- 关键词：晶体管击穿电压
- 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法
- 本发明的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，涉及半导体材料电参数的测量方法，是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率，步骤是：采用微波霍尔测量装置测量被测量的...
- 杨瑞霞王伟武一宾牛晨亮
- 文献传递
- 4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析被引量：3
- 2007年
- 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。
- 马永强武一宾杨瑞霞齐国虎李若凡商耀辉陈昊牛晨亮
- 关键词：X射线双晶衍射摇摆曲线4H-SIC
- GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究被引量：1
- 2010年
- 设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度。采用非接触霍尔方法对样品二维电子气(2DEG)浓度及迁移率进行测试,并用范得堡法对实验结果加以验证。结果表明,平整异质结界面生长技术能有效控制高迁移率2DEG浓度分布;与范德堡法相比,非接触霍尔方法无破坏性、测试结果可靠,该结果可以用来分析多层结构的PHEMT外延材料中InGaAs沟道界面的生长情况。
- 吕晶杨瑞霞武一宾孙莹
- RTD纳米薄层的精细控制及X射线双晶衍射测量被引量：2
- 2006年
- 在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行了动力学模拟分析。结果显示样品异质结界面和晶体质量良好,纳米薄膜的组分和厚度偏差分别控制在2%和3.5%之内,说明薄层的生长得到了精细控制。
- 卜夏正武一宾商耀辉王建峰
- 关键词：共振隧穿二极管X射线双晶衍射动力学模拟
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料 GaAs 基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果。重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接...
- 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管
- 文献传递
- MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料被引量：1
- 2005年
- 利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns的InP PHEMT外延材料。
- 徐静波杨瑞霞武一宾
- 关键词：MBE
- X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
- 2007年
- X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。
- 马永强武一宾杨瑞霞李若凡商耀辉牛晨亮卜夏正王建峰
- 关键词：超晶格分子束外延X射线双晶衍射相干长度
- 迁移率谱中“映像峰”问题的研究
- 2009年
- 在迁移率谱分析技术中,除了真实反映材料中载流子信息的峰之外,有时还会出现一些没有物理意义的多余峰,即所谓的"映像峰"。这会给实验结果的分析造成一定的假象,甚至会导致错误的结论。分析了迁移率谱技术中"映像峰"出现的原因,利用LEI1610迁移率分析系统研究得出载流子的迁移率随着外加磁场的变化而变化是造成"映像峰"的根本原因,并通过合理的选择测试磁场消除了"映像峰",使测试结果更加真实可靠。
- 贾月辉武一宾杨瑞霞白晨皓
