浜中广见
- 作品数：18 被引量：21H指数：4
- 供职机构：日本法政大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究被引量：2
- 2008年
- 实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象·
- 邹林儿陈抱雪杜丽萍袁一方浜中广见矶守
- 关键词：非晶态半导体光折变效应
- 光折变法制备的As_2S_8条形波导的光阻断效应被引量：11
- 2006年
- 实验研究了As_2S_8薄膜光折变现象.提出并采用紫外光激励的方法试制了As_2S_8条形波导,导模激励显示该波导具有良好的导波特性.在此基础上,考察了As_2S_8条波导的光阻断效应,实现了光-光效应的开关功能.
- 邹林儿陈抱雪陈林袁一方浜中广见矶守
- 关键词：光波导技术
- As_2S_8非晶态薄膜波导光学截止效应研究被引量：7
- 2002年
- 报告了As_2S_8非晶态薄膜波导的光学截止（optical-stopping）效应的实验过程、初步结果和机理分析.介绍了硫系非晶态As2S8薄膜波导的制备工艺,以及实验光路和光学截止现象的过程.在实验基础上,结合有关硫系非晶态半导体中的其他一些光诱起现象的报道,我们提出了以微结构变动为前提、结合半导体能级理论的电子泵浦模型,解释了实验现象.
- 梁东波陈抱雪袁一方浜中广见陈林矶守
- 具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法
- 本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导，所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成，通过在As<Sub>2</Sub>S<Sub>8</Sub>基质材料中掺入微量锡元素的手段，使得隙内能...
- 陈抱雪隋国荣浜中广见杜丽萍孙蓓陈直
- 文献传递
- 非晶态Sn<Sub>1</Sub>As<Sub>20</Sub>S<Sub>79</Sub>条形光波导制造方法
- 本发明涉及一种非晶态Sn<Sub>1</Sub>As<Sub>20</Sub>S<Sub>79</Sub>条形光波导制造方法，采用两次履经退火－辐照过程的方法制备Sn<Sub>1</Sub>As<Sub>20</Sub>...
- 陈抱雪孙蓓隋国荣王关德浜中广见
- 文献传递
- 基于掺锡As_2S_8条波导的全光逻辑门研究
- 2011年
- 实验研究了掺锡As_2S_8条波导的光阻断效应,提出一种新型的基于掺锡As_2 S_8波导的全光逻辑门方案,并试制了掺锡As_2 S_8条波导全光逻辑门,实验结果显示该逻辑门具有良好的波形特性,表明该材料适合做全光逻辑门,具有一定的应用潜力。
- 王平陈抱雪王关德隋国荣邹林儿浜中广见矶守
- 关键词：全光逻辑门
- As_2S_8薄膜光致折射率效应及其在条波导制备中的应用研究被引量：1
- 2005年
- 分别采用紫外光和He—Cd激光辐照,实验研究了As2S8非晶态薄膜的光致折射率变化以及膜厚变 化的现象,归纳了实验规律,初步分析了机理。利用光诱起折射率变化效应试制了As2S8玻璃条波导,实现了良好 的导波特性。
- 王健邹林儿陈抱雪陈林浜中广见矶守
- 非晶态Sn<Sub>1</Sub>As<Sub>20</Sub>S<Sub>79</Sub>条形光波导制造方法
- 本发明涉及一种非晶态Sn<Sub>1</Sub>As<Sub>20</Sub>S<Sub>79</Sub>条形光波导制造方法，采用两次履经退火-辐照过程的方法制备Sn<Sub>1</Sub>As<Sub>20</Sub>...
- 陈抱雪孙蓓隋国荣王关德浜中广见
- 文献传递
- 具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法
- 本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导，所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成，通过在As<Sub>2</Sub>S<Sub>8</Sub>基质材料中掺入微量锡元素的手段，使得隙内能...
- 陈抱雪隋国荣浜中广见杜丽萍孙蓓陈直
- 文献传递
- 非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应
- 2007年
- 研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.
- 邹林儿陈抱雪杜丽萍刘小青浜中广见矶守
- 关键词：光传输
