王光绪
- 作品数：48 被引量：65H指数：5
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程文化科学更多>>
- 灯具（婴童仿生牛角灯）
- 1．本外观设计产品的名称：灯具（婴童仿生牛角灯）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于婴童照明。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的整体形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
- 涂善开刘江伟王光绪吴江赵贺琦王明康
- 灯泡（健康朝霞白）
- 1．本外观设计产品的名称：灯泡（健康朝霞白）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于照明。;3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
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- 牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：3
- 2011年
- 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.
- 王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益
- 关键词：氮化镓
- 硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN单量子阱(SQW)绿光材料，并制备成n面向上(Pt基反射镜、无表面粗化)的垂直结构发光二极管(LED)，研究了主波长(WLD)分别为51...
- 王光绪熊传兵刘彦松程海英刘军林江风益
- 关键词：绿光LED单量子阱量子效率发光机理
- 裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响被引量：3
- 2010年
- 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。
- 肖宗湖张萌熊传兵江风益王光绪熊贻婧汪延明
- 关键词：SI衬底INGAN/GANLED应力
- p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响
- 2011年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多。因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率。
- 陶喜霞王立刘彦松王光绪江风益
- 关键词：LEDGAN出光
- 五基色LED照明光源技术进展被引量：13
- 2017年
- 现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒适的全光谱无荧光粉白光光源,是下一代高品质光源。其难点在于获得高光效黄光LED。目前我们在黄光LED光效提升方面取得重大突破,获得了电光转换功率效率高达21.5%的硅衬底InGaN基黄光LED(565nm,20A/cm^2),对应130 lm/W,远好于文献报道和可查询到的最高水平。基于红、黄、绿、青、蓝五色LED芯片合成的白光灯珠,显色指数94.8,色温3 263K,光效100.5 lm/W,达到了实用化水平。无荧光粉五基色LED照明技术省去了稀土这一稀缺资源,具有现实价值和战略意义,同时在可见光通信、情景照明、智能照明方面有优势。
- 刘军林莫春兰张建立王光绪徐龙权丁杰李树强王小兰吴小明潘拴方芳全知觉郑畅达郭醒陈芳江风益
- 关键词：LED照明
- 一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底
- 本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，包括硅（111）面衬底本体，在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带，条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成，将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台，其特...
- 刘军林王光绪陶喜霞江风益
- 文献传递
- AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响被引量：5
- 2014年
- 利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。
- 刘军林熊传兵程海英张建立毛清华吴小明全知觉王小兰王光绪莫春兰江风益
- 关键词：氮化镓硅衬底
- 一种基于无荧光粉LED的节律照明光源
- 本发明提出了一种基于无荧光粉LED的节律照明光源，不使用荧光粉，通过第一和第二LED组件混光，第一LED组件单独实现对主波长位于470‑510nm，半峰宽20‑40nm的青光光谱强度控制，得到高光品质的节律照明光谱，可以...
- 王光绪杨凯楠罗昕郭醒张建立周国强李寒琴
