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王家俭

作品数：18 被引量：13H指数：2
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 4篇电极
  • 3篇电流
  • 3篇引线
  • 3篇内引线
  • 3篇封装
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电子结构
  • 2篇塑料封装
  • 2篇通路
  • 2篇屏蔽
  • 2篇屏蔽盒
  • 2篇热流
  • 2篇子结构
  • 2篇稀土
  • 2篇壳层
  • 2篇溅射
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇功率容量

机构

  • 18篇山东大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇山东建材学院

作者

  • 18篇王家俭
  • 12篇苗庆海
  • 10篇张德骏
  • 10篇张兴华
  • 8篇李如尧
  • 6篇任中早
  • 3篇张德恒
  • 2篇张兴华
  • 2篇曹红
  • 1篇史威
  • 1篇程兴奎
  • 1篇杨志伟
  • 1篇邢益荣
  • 1篇贾颍
  • 1篇张敬平
  • 1篇贾颖
  • 1篇王继春
  • 1篇刘汝军
  • 1篇高汝伟
  • 1篇吴汲安

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇中国稀土学报
  • 2篇山东电子
  • 1篇Journa...
  • 1篇山东大学学报...
  • 1篇第八届全国可...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
浅谈半导体量子点与纳米电子学被引量：1
1995年
浅谈半导体量子点与纳米电子学王家俭（山东大学物理系济南２５０１００）关键词量子点，库仑阻塞现象，单电子晶体管，纳米电子学目前，以集成电路为基础的微电子技术，已在国民经济和现代战争中起到不可估量的作用。随着电路尺寸不断缩小、集成度的提高，已进入甚大规模...
王家俭
关键词：半导体量子点电子结构纳米电子学
选极晶体管
选极晶体管即可以选择管基电极的晶体管属于半导体器件类。利用管基与芯片绝缘而使管基可以作为任一电极或悬浮的办法已制造出了可以选择管基电极的晶体管。其主要热流通路仍然是管基。本发明有助于提高晶体管的频率性能、功率容量、可靠性...
苗庆海张兴华王家俭任中早张德骏李如尧
文献传递
一种晶体管的封装
本发明涉及一种晶体管封装。设计了一种在带有与管基绝缘的外引线的金属管基上加入绝缘导热材料层实现芯片与管基的电隔离，并通过内引线来选择芯片的电极之一与管基相连或不相连的晶体管封装方式；并提出了一种芯片与绝缘导热材料同时固定...
苗庆海张兴华王家俭任中早张德骏李如尧
一种塑封半导体器件的制造方法
一种塑封半导体器件的制造方法，采用不同厚度的金属板，分别冲制金属引线框架的散热片和引线，成型后，将其拼接成一边厚一边薄的框架，然后焊接芯片及内引线，再注塑、切筋。该发明方法既解决了制作金属引线框架所用异形铜板成本高的问题...
苗庆海张兴华王家俭张德俊李如尧
文献传递
改善晶体管稳态工作寿命试验方法的技术措施
在分析了现行稳态工作寿命试验方法所存在问题的基础上，提出了改善晶体管稳态工作寿命试验方法的技术措施——将直流连续工作该为连续脉冲工作，并通过模拟试验证明这是一项十分有效的技术措施。
张德骏曹红贾颖苗庆海王家俭张兴华
选极型功率晶体管技术特性的研究
1991年
本文介绍了新型选极型晶体管主要结构的设计方法,并分析了其技术特性,并报导其突破4万次功率循环的试验结果。在理论分析上对于提高功率晶体管抗热疲劳性能提出了新的见解。
任中早王家俭苗庆海张兴华张德俊
关键词：功率晶体管抗热疲劳
双极晶体管发射结电流趋热效应及其对结温测量的影响被引量：9
1999年
研究了当双极晶体管芯片有源区出现热斑时流经其发射结的电流的趋热行为及其对用ΔＶＢＥ法测量结温的影响，提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法。
杨志伟苗庆海张兴华张德骏满昌峰王家俭
关键词：双极晶体管温度分布
自屏蔽半导体器件及其制造方法
一种自屏蔽半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件及其制造工艺。自屏蔽半导体器件采用金属基板、绝缘导热片、芯片叠层面连接的结构形式，使所有电极均不与屏蔽壳层电连接，或其中一个电极与屏蔽壳层电连接。在金属封装的情况下，金属基...
苗庆海张兴华王家俭张德骏李如尧
文献传递
退火对射频溅射法制备a-Si∶H∶Y合金薄膜结构和性质的影响被引量：1
1998年
对射频溅射法制备的ａＳｉ∶Ｈ∶Ｙ薄膜进行电子衍射、红外吸收和卢瑟福背散射测试，结果表明，退火可从以下几方面改变膜的结构和性质：使合金膜晶化，从非晶态向多晶或单晶态转化；改变原子间的键合状态，使某些ＳｉＨ键断裂，形成更多的ＳｉＹ键；Ｙ原子向Ｓｉ衬底方向扩散，使膜表面Ｙ的浓度降低，Ｓｉ∶Ｙ合金层厚度增大。
张德恒王家俭高汝伟刘汝军
关键词：稀土退火
功率器件的气密封装件
功率器件的气密封装件，即提高功率器件的气密性和耗散功率属于半导体分离器件。利用管帽突筋与管基凹环的配合，使封接电流密度大、热阻大、温升高，达到气密封接。利用减小引线绝缘子的直径、或帖铜方法提高器件的耗散功率。利用加粗集电...
苗庆海张兴华李如尧王家俭张德骏任中早
文献传递
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共2页<12>
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