王彦杰
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
- 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...
- 李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
- 文献传递
- 一种p型氮化镓的表面处理方法
- 本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10<Sup>-5</Sup>托后，用氟等离子体对样品表面处理...
- 王彦杰胡晓东胡成余张国义
- 文献传递
- 一种p型氮化镓的表面处理方法
- 本发明提供一种p型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的p型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于8.0×10<Sup>－5</Sup>托后，用氟等离子体对样品表面处理...
- 王彦杰胡晓东胡成余张国义
- 文献传递
- P型GaN基材料及其欧姆接触性能的研究
- GaN及其三元化合物在制备高亮度蓝光、绿光和白光发光二极管(LED)，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用与丰富的物理内容，开创了第三代半导体材料与器件研究的新领域。但是，p-GaN的欧姆接触，以...
- 王彦杰
- 关键词：传输线模型超晶格半导体材料
- MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文)
- 2008年
- 通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω.cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,在受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.
- 张晓敏王彦杰杨子文廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东
- 关键词：P型GAN自补偿MOCVD
- p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
- 2007年
- 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.
- 王彦杰杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚章蓓张国义胡晓东
- 关键词：P-GAN传输线
- 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
- 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化...
- 李睿胡晓东徐科代涛陈伟华胡成余包魁王彦杰张国义
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