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王杏华

作品数：8 被引量：13H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学

主题

  • 3篇砷化镓
  • 3篇器件物理
  • 3篇量子
  • 3篇GAAS/A...
  • 2篇电子学
  • 2篇异质结
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光特性
  • 2篇量子结构
  • 2篇光电
  • 2篇光电集成
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子学
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体光电
  • 2篇半导体光电子...
  • 2篇ALGAAS
  • 1篇单量子阱
  • 1篇导体
  • 1篇应变量子阱

机构

  • 7篇中国科学院
  • 2篇图尔库大学

作者

  • 7篇王杏华
  • 3篇余金中
  • 2篇刘剑
  • 2篇郑厚植
  • 2篇李承芳
  • 1篇程文超
  • 1篇王志明
  • 1篇李月霞
  • 1篇杨小平
  • 1篇宋爱民
  • 1篇李国华

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇物理
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1998
  • 2篇1994
  • 1篇1990
共 8 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaAs／AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射被引量：2
1994年
对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用．我们的研究也表明了：采用（ＧａＡｓ）４／（ＡｌＡｓ）２超晶格代替常规的ＡｌＧａＡｓ层，或在异质结界面生长过程中的停顿，都能有效地减少界面粗糙度．
王杏华郑厚植余涛Reino Laiho
关键词：粗糙率砷化镓ALGAAS
半导体量子器件物理讲座 第六讲 半导体量子阱激光器被引量：3
2001年
量子阱结构是半导体光电子器件的核心组成部分 ,它是半导体光电子集成的重要基础 .文章在描述了量子结构的态密度、量子尺寸效应、粒子数反转的基础上 ,介绍了量子阱导质结构激光器的工作原理、器件结构、器件性能 。
余金中王杏华
关键词：异质结半导体光电子学光电集成激光器
半导体量子器件物理讲座 第七讲 半导体异质结光电探测器被引量：3
2002年
光电探测器是一类用于接收光波并转变为电信号的专门器件 .文章描述了PIN光电二极管、雪崩光电二极管、MSM(金属 -半导体 -金属 )光电二极管的器件结构和工作原理 ,并对它们的响应度、噪声、带宽等特性进行了讨论 .这类器件已在光通信。
余金中王杏华
关键词：异质结光电探测器量子结构半导体光电子学光电集成
GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性
1990年
本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。
王杏华Reino Laiho
关键词：GAINASALGAAS应变量子阱光荧光
半导体量子器件物理讲座 第一讲 异质结构和量子结构被引量：4
2001年
随着半导体材料超薄层外延生长和微细加工技术的进展 ,人们已研制成功多种多样的半导体量子器件 .以量子理论为基础 ,以半导体量子器件为研究对象 ,形成了一门新的学科———半导体量子电子学和量子光电子学 .文章着重介绍半导体异质结构和量子结构 ,包括其能带结构。
余金中王杏华
关键词：量子结构态密度分布
GaAs／AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究被引量：1
1994年
研究了低温、平行磁场下两种ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱的量子干涉特性．两种样品的阱宽均为６０，但挚垒层厚度不同，分别为１２０和２０．实验结果表明，样品的电导随磁场呈周期性振荡，振荡周期近似为ｈ／（ｅ·Ｓ），这一结果同Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ效应的理论值相吻合。我们也发现，薄势垒层样品比厚势垒层样品的电导振荡幅度更大一些．
王杏华郑厚植李承芳刘剑杨小平余琦Reino Laiho
关键词：砷化镓量子相干
GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
1998年
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．
王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明
关键词：荧光特性砷化镓铝镓砷
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