王林军
- 作品数：379 被引量：380H指数：9
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>
- 具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法
- 本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/F...
- 汪琳张淑玮吴白羽周家伟任兵黄健王林军
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- 一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法
- 本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得p...
- 王林军黄健赖建明唐可管玉兰夏义本
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- 厚度可控的三层式金刚石薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种厚度可控的三层式金刚石薄膜的制备方法，属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明主要解决金刚石薄膜粗糙度与厚度之间的矛盾，采用现有的热丝化学气相沉积实验装置，调节控制碳源浓度、沉积温度、反应气压、施加...
- 王林军夏义本赵平刘健敏苏青峰
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- 具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法
- 本发明公开了一种具有复合钝化层的CZT膜复合材料、核辐射探测器件及其制备方法，属半导体探测材料制造技术领域。本方法是先通过近空升华法在导电玻璃衬底上沉积碲锌镉膜，在进行抛光和腐蚀之后，再在碲锌镉膜上通过磁控溅射方法依此沉...
- 陈哲别佳瑛陈卓睿尚艺黄浩斐李洪伟黄健唐可王林军
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- 一种设有电极的CuS/GaN异质结的制备方法
- 本发明涉及一种CuS/GaN异质结的制备方法，属于光电器件部件制造工艺技术领域。本发明主要特点在于采用n型GaN薄膜作为衬底，并在此衬底上制备高质量的p型CuS薄膜,从而获得CuS/GaN异质结。本发明所得器件退火后具有...
- 王林军李伦娟黄健杨蔚川于鸿泽
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- CuPc薄膜及其厚度对太阳电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料,其优异的稳定性和良好的光电性能,越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行了XRD、Raman光谱、紫外-可见光谱,以研究该薄膜的结构及光学性能,并对肖特基型太阳电池ITO/CuPc/Al进行研究,通过改变CuPc的厚度,讨论其对该太阳电池电学性能的影响.
- 张瑜史伟民郑耀明王林军朱文清夏义本
- 关键词：太阳能电池
- 基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于ZnO薄膜晶体管的集成式全固态中子探测器及其制备方法，在Si衬底上采用射频磁控溅射法制备一层高质量的ZnO薄膜，在此基础上采用光刻工艺制备ZnO薄膜晶体管紫外光探测器，再在其上采用磁控溅射法制备表面均...
- 唐可王宇彤黄健陆元曦胡尘邹天宇张佳迪王林军
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- 一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法
- 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结...
- 苏青峰史伟民王林军黄健周平生李杰袁安东钱隽
- 在SiC陶瓷衬底上生长纳米金刚石薄膜
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,在较低的反应气体压力下在SiC陶瓷衬底上成功生长出纳米金刚石薄膜.用拉曼光谱对纳米金刚石薄膜结构进行了分析,用光学显微镜对薄膜表面形貌进行了观察,用台阶仪对薄膜表面粗糙度进行了测量...
- 吴南春夏义本谭寿洪王林军
- 关键词：金刚石薄膜化学气相沉积法碳化硅纳米晶粒
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- 工艺条件对热丝CVD金刚石薄膜电学性能的影响被引量：5
- 2006年
- 采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜．讨论了薄膜退火前后的介电性能．研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系．通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性．结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量．获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1．2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5．73,介电损耗为0．02．
- 刘健敏夏义本王林军张明龙苏青峰
- 关键词：退火工艺
