王洪
- 作品数:3 被引量:8H指数:1
- 供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域:电子电信电气工程更多>>
- MoO_3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响
- 2012年
- 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率()的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 A,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。
- 徐洁李青林慧林慧
- 关键词:空穴迁移率有机薄膜晶体管阈值电压
- Bphen/Ag/Bphen复合缓冲层对有机太阳电池性能的影响
- 2011年
- 采用Bphen/Ag/Bphen作为阴极缓冲层,制备了基于CuPc/C60的有机太阳电池,研究了在有机薄膜中加入金属超薄层对器件性能的影响。结果表明,在Bphen缓冲层中加入1 nm的Ag时,器件的电子注入和传输都得到了提高。采用常用的等效电路模型,计算了缓冲层对器件性能参数的影响。发现Bphen/Ag/Bphen可以改善有机层和电极的界面接触性能,降低器件的串联电阻。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了复合缓冲层对器件光子吸收的作用,发现加入Ag薄层后提高了器件的光吸收能力。
- 徐洁李青王洪林慧
- BCP层对蓝光有机电致发光器件效率的影响被引量:8
- 2008年
- 采用真空热沉积的方法,在常规的三层器件基础上,通过改变空穴阻挡层BCP的厚度,制备了具有结构为氧化铟锡(ITO)/N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/2,9-dimethyl-4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/Hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双异质结的有机电致发光器件。结果表明,当空穴阻挡层BCP的厚度从0.1nm逐渐增加到4.0nm时,器件的电致发光光谱实现了从绿色到蓝绿色再到蓝色发射的转变。同时,空穴阻挡层BCP起到了调节载流子复合区域和改变器件发光颜色的作用,并且通过详细的器件结构优化证明一定厚度的BCP层显著地提高了蓝光器件的效率,达到了7.3lm/W。
- 王洪于军胜李璐唐晓庆蒋亚东
- 关键词:光谱变化功率效率