王洪达
- 作品数：7 被引量：14H指数：3
- 供职机构：景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省主要学科学术和技术带头人培养计划更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 以炭黑为还原剂制备硅酸锆晶须的研究被引量：2
- 2014年
- 以无水四氯化锆为锆源,正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,氟化锂为矿化剂,乙醇为溶剂,炭黑为还原剂,采用非水解溶胶–凝胶法在700℃制备得到硅酸锆晶须,借助TG-DTA、XRD和TEM等测试手段研究了炭黑加入方式及用量对硅酸锆合成与形貌的影响。结果表明：炭黑以悬浮液形式加入有助于硅酸锆的一维择优生长;炭黑用量为6wt%时能获得直径为30~90 nm,长径比为6~15,沿[001]方向择优生长的硅酸锆晶须。炭黑与氧反应形成二氧化碳和一氧化碳,炭黑加入方式及用量能够调控反应体系的氧分压。降低氧分压有利于形成更多的气相SiF4,这是促进ZrSiO4一维定向生长的基础,但氧分压过低又妨碍ZrSiO4晶体的合成。因此,适当氧分压有利于ZrSiO4晶须的生长。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：炭黑硅酸锆晶须
- 以钼酸钠为熔盐制备硅酸锆晶须被引量：2
- 2015年
- 以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、无水乙醇为溶剂、钼酸钠为熔盐介质,采用非水解溶胶-凝胶工艺结合熔盐法制备硅酸锆晶须,研究熔盐存在条件下硅酸锆干凝胶的物相转变以及熔盐的引入、热处理温度及保温时间等对硅酸锆晶体一维择优生长的影响。熔盐的加入不仅降低了硅酸锆的合成温度,而且对其一维生长有明显促进作用;热处理温度过高或过低、保温时间过长或过短均不利于硅酸锆晶须的形成。850℃保温3 h能制备出产率高、直径在50~100 nm,长径比为20~30、沿[001]方向择优生长的硅酸锆晶须。
- 张涛江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：硅酸锆晶须熔盐法
- 制备工艺参数对氟羟基磷灰石氟替代量和形貌的影响被引量：1
- 2011年
- 通过沉淀法制备了纳米氟羟基磷灰石(FHA)。研究了合成温度、初始氟离子浓度和pH值对氟替代量和形貌的影响。用透射电镜观察了FHA的形貌,用氟选择电极法测定了FHA中的氟含量。结果表明:随着合成温度或原料中氟浓度的升高,FHA晶粒尺寸和长径比增加;随着pH值的提高,长径比减小。合成FHA中氟含量随初始氟离子浓度和合成温度的增加而非线性增加,考虑到OH^-和F^-对羟基空位的竞争,高pH值不利于氟替代。
- 朱庆霞江伟辉邵川王洪达
- 关键词：形貌制备工艺参数
- 非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须被引量：2
- 2015年
- 以无水四氯化锆为锆源、正硅酸乙酯为硅源、氟化锂为矿化剂、乙醇为溶剂、氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须。借助综合热分析、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜等研究了硅酸锆干凝胶在氮气气氛中热处理的物相变化以及成型压力、氟化锆用量对形成硅酸锆晶须的影响,探讨了硅酸锆晶须的形成机理。结果表明:氮气气氛下热处理并不影响硅酸锆的低温合成,成型压力过大或过小、氟化锆用量过多或过少均不利于硅酸锆晶体的一维择优生长,成型压力为2 MPa、氟化锆用量为10%(质量分数)时,硅酸锆晶须直径为0.2~0.4μm、长径比达到15~30。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：硅酸锆晶须非水解溶胶-凝胶法
- 非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须初探被引量：4
- 2014年
- 以无水四氯化锆为锆源，正硅酸乙酯（TEOS）为硅源，氟化锂为矿化剂，乙醇为溶剂，炭黑为还原剂，采用非水解溶胶-凝胶法制备硅酸锆晶须，研究了炭黑种类与坩埚密封程度对硅酸锆晶须生长的影响。结果表明：相对于比表面积过小的炭黑8001或比表面积过大的超级活性炭，竹炭更利于硅酸锆晶须的生长；采用敞开坩埚方式热处理时能获得直径为30～90nm，长径比为6～15，沿[001]方向择优生长的硅酸锆晶须，半敞开或密封的反应体系均不能形成硅酸锆晶须。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：硅酸锆非水解溶胶-凝胶法晶须炭黑
- 以氟化锆为生长助剂制备硅酸锆晶须的研究被引量：3
- 2015年
- 以无水四氯化锆为锆源,正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,氟化锂为矿化剂,乙醇为溶剂,氟化锆为生长助剂,采用非水解溶胶-凝胶法于800℃制备出硅酸锆晶须,借助XRD、SEM和TEM等测试手段研究了热处理气氛、氟化锂用量、氟化锆的引入方式等工艺因素对硅酸锆晶须形成的影响。结果表明：与空气气氛相比,氮气气氛更加有利于硅酸锆晶体的一维择优生长;矿化剂用量过多或过少均不利于晶须的形成;氟化锆以外置的方式引入能获得直径为0.2~0.4μm,长径比达15~30,沿c轴方向择优生长的硅酸锆晶须。
- 王三海江伟辉冯果刘健敏苗立锋王洪达
- 关键词：非水解溶胶-凝胶法
- 沉淀法制备氟羟基磷灰石的影响因素(英文)被引量：3
- 2011年
- 采用沉淀法制备了纳米氟羟基磷灰石(FHA),研究了合成温度、初始氟离子浓度和pH值对氟替代的影响.用X射线衍射和红外光谱表征了FHA粉体的物相组成和晶体结构变化,用透射电镜观察了FHA的形貌.结果表明:氟替代会导致晶格参数和键能的变化,随着合成温度或原料中氟浓度的升高,FHA晶粒尺寸和长径比增大;相组成主要受pH值控制,考虑到OH–和F–对羟基空位的竞争,高pH值不利于氟替代.
- 朱庆霞江伟辉王洪达邵川
- 关键词：沉淀法
