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王耀明

作品数:44 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 29篇电池
  • 18篇太阳电池
  • 15篇薄膜太阳电池
  • 10篇
  • 9篇铜铟镓硒
  • 6篇带隙
  • 6篇太阳能电池
  • 5篇正极
  • 5篇化合物
  • 5篇
  • 5篇
  • 5篇掺杂
  • 4篇电化学
  • 4篇铜源
  • 4篇铜铟镓硒薄膜...
  • 4篇硫化
  • 4篇金膜
  • 4篇合金膜
  • 3篇性能研究
  • 3篇液相

机构

  • 44篇中国科学院
  • 1篇北京大学

作者

  • 44篇王耀明
  • 43篇黄富强
  • 12篇朱小龙
  • 11篇刘战强
  • 11篇谢宜桉
  • 10篇李爱民
  • 10篇张雷
  • 8篇秦明升
  • 6篇杨重寅
  • 5篇孙军康
  • 4篇陈海杰
  • 3篇刘玉峰
  • 2篇吕旭杰
  • 2篇丁尚军
  • 2篇王晶
  • 2篇曹珍珠
  • 2篇郭晨光
  • 1篇殷鑫
  • 1篇夏玉娟
  • 1篇陈立东

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇合成化学
  • 1篇第二届中国储...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 11篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 9篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
44 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
本发明涉及铜铟镓硒硫(CIGSS)光吸收层薄膜的制备方法。特征在于首先采用磁控溅射法在基片沉积Cu膜,然后采用蒸发法沉积In-Ga膜,形成Cu-In-Ga合金膜,再次将Cu-In-Ga合金膜与固态Se源或气态H<Sub>...
黄富强王耀明朱小龙吕旭杰王晶
文献传递
双钙钛矿型LED用荧光材料Ca2LaMO6:Eu(M=Sb,Nb,Ta)
殷鑫王耀明夏玉娟万冬云黄富强姚吉勇
关键词:PEROVSKITEPHOSPHORSQUANTUMCOORDINATIONPOLYHEDRON
铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
提供一种铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。它采用非真空液相化学方法,包括以下步骤:形成含铜、铟、镓、硫和硒的源溶液;通过非真空液相工艺将该溶液在衬底上制成前驱薄膜;以及将前驱薄膜干燥并退火,从而形成铜铟镓硫硒化合...
黄富强王耀明
文献传递
磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法
本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法,采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射,制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的CIGS前驱薄膜,然后将CIG...
黄富强王耀明朱小龙李爱民张雷
文献传递
铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
一种铜锌镉锡硫硒(CZCTSS)薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。本发明采用有机溶剂,按CZCTSS薄膜太阳电池光吸收层的化学计量比,制备含铜、锌、镉、锡、硫和硒的有机胶体溶液,然后通过非真空液相工艺,制备出CZCTSS前...
黄富强王耀明丁尚军
一种硫化亚铜薄膜的液相制备方法
本发明涉及一种硫化亚铜薄膜的液相制备方法,包括:将铜源溶于含有络合剂和含硫小分子试剂的醇溶液中,加入一定的粘度调节剂,形成澄清透明且稳定的前驱体溶液;将所述前驱体溶液通过非真空薄膜沉积工艺在衬底上沉积为前驱体薄膜并加热烘...
黄富强谢宜桉刘玉峰陈海杰王耀明
文献传递
一种稀土硫氧化物发光材料的合成方法
本发明涉及一种稀土硫氧化物发光材料的合成方法,其特征在于采用碱金属硫化物、碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐和碱金属磷酸氢盐中的一种或几种的混合物作为助熔剂,在高温下助熔剂首先与单质硫、碱金属硫化物或两者的混合物反应生成碱金属多...
黄富强王耀明曹珍珠
文献传递
光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层
本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)光吸收层薄膜的一种制备方法,本发明的特点在于首先采用磁控溅射法在基片上沉积Cu-In-Ga预制合金膜,然后在光的辅助下,将Cu-In-Ga预制合金膜与固态Se源反应生成CIGS薄膜。本发...
黄富强王耀明
文献传递
铜铟硒薄膜的外延生长和表面重构及其电池性能研究被引量:1
2011年
在GaAs的(110)、(001)和(111)A、(111)B等极性晶面上,通过铜铟共溅-硒蒸镀的方法,分布外延生长出(220/204)、(001)和(112)结晶取向的单晶CIS薄膜.系统考察了CIS薄膜外延生长的结晶取向和表面微结构,发现了这些CIS外延薄膜均需表面重构化而形成比表面能低的CIS(112)晶面,结合晶体结构研究了各种晶面和比表面能的相关性.通过各种衬底下不同结晶取向的CIS薄膜的太阳能电池组装,发现当CIS薄膜生长具有(220/204)结晶取向时电池器件性能最好、效率最高,说明可通过控制CIS薄膜的沉积条件和选用合适取向的衬底,增加吸收层(220/204)的结晶取向,从而显著提高CIS薄膜太阳电池的光电性能.
周震赵夔王耀明黄富强
关键词:太阳电池性能
光辅助方法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层
本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)光吸收层薄膜的一种制备方法,本发明的特点在于首先采用磁控溅射法在基片上沉积Cu-In-Ga预制合金膜,然后在光的辅助下,将Cu-In-Ga预制合金膜与固态Se源反应生成CIGS薄膜。本发...
黄富强王耀明
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