程子川
- 作品数：12 被引量：5H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海-AM基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 纳米金属氧化线单电子晶体管
- 一种纳米金属氧化线单电子晶体管，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区，其厚度为3 nm，宽度为1个电子局域长度ξ，长度为2～5个ξ，源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中，栅电极位于沟道区的一侧，...
- 蒋建飞蔡琪玉程子川黄萍沈波
- 文献传递
- 扫描隧道显微镜在Si表面纳米结构加工的研究
- 本文论述了利用扫描隧道显微镜(STM)的阳极氧化原理,在Si表面加工形成氧化线的过程,讨论了氧化电压,扫描频率和环境湿度对氧化的影响,并且对加工纳米结构器件作发初步探讨.
- 程子川蒋建飞蔡琪玉
- 关键词：扫描隧道显微镜阳极氧化STM
- 文献传递
- 单电子晶体管的研制和室温下单电子效应的观察
- 用扫描隧道显微镜（SIN）在以Si为衬底的Ti膜上加工成单电子晶体管结构,在室温下观察到单电子库仑阻塞效应,库仑台阶及振荡现象.在栅端加不同电压,通过STS测试得到栅控的Ⅰ-Ⅴ特性.对实验结果进行了初步分析.
- 程子川蒋建飞蔡琪玉赵小林
- 关键词：隧道结库仑阻塞
- 文献传递
- 原型单电子晶体管的实验研究
- 该文主要是通过实验来研究单电子器件的基本单元——单电子晶体管.在第一,第二章作者对单电子学、单电子晶体管、纳米加工技术、SPM的工作原理以及阳极氧化原理等内容作了大致描述,并对国内外该领域内近年来的一些进展加以略述,给出...
- 程子川
- 关键词：STM纳米加工技术单电子晶体管
- 文献传递
- 纳米金属氧化线单电子存贮单元
- 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区，其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区与上层写线之间有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层，源线和数据线位于...
- 蒋建飞蔡琪玉黄萍沈波程子川
- 文献传递
- 神经网络单电子数/模转换器被引量：3
- 2002年
- 提出了一种功能性单电子电路 :神经网络单电子数 /模转换器 ,研究了电路特性。结果表明 ,这种单电子电路有很好的数 /模转换功能 ,加上单电子电路固有的极低功耗 ,可极限密度集成 ,高速度 ,使得这种功能性单电子电路在未来的
- 乐嘉勇蒋建飞蔡琪玉程子川
- 关键词：神经网络单电子晶体管
- 线宽为10nm量级氧化钛线的制备
- 我们用扫描隧道显微镜(STM)在7nm厚的钛膜上加工出了线宽为10nm量级的氧化钛线,并重点讨论了氧化电压与扫描速率对氧化线宽的影响.
- 黄萍沈波蒋建飞蔡琪玉程子川
- 关键词：扫描隧道显微镜STM
- 文献传递
- 纳米金属氧化线单电子存贮单元
- 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区,其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ,有源区与上层写线之间有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层,源线和数据线位于...
- 蒋建飞蔡琪玉黄萍沈波程子川
- 文献传递
- 纳米金属氧化线单电子晶体管
- 一种纳米金属氧化线单电子晶体管,采用超薄纳米金属氧化线作为单电子晶体管的沟道区,其厚度为3nm,宽度为1个电子局域长度ξ,长度为2～5个ξ,源、漏、栅的电极由Au膜或Al膜引出。在侧栅型结构中,栅电极位于沟道区的一侧,与...
- 蒋建飞蔡琪玉程子川黄萍沈波
- 文献传递
- 电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析被引量：3
- 2000年
- 本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。
- 程子川蒋建飞蔡琪玉
- 关键词：存储器
