章其麟
- 作品数：12 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金军事电子预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料
- 章其麟关兴国李景刘英斌任永一袁风波刘燕飞孙进民等
- 1.成果内容简介：该成果采用MOCVD生长HBT材料，解决了GaAs体材料的纯度，找到了克服GaAlAs氧沾污的方法，尤其是采用最新的P-GaAs掺C技术，满足了异质结与P-N结的陡峭分布，做到了基区很薄(80纳米)且P...
- 关键词：
- 关键词：化学汽相淀积汽相外延生长GAALAS/GAASHBT材料
- RIE技术制备p-n结型GaN蓝光LEDs
- 1999年
- 自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加工工艺，如欧姆或肖特基接触的形成、...
- 章其麟张冀赵永军李云梁春广刘燕飞杨瑞林
- 关键词：反应离子刻蚀氮化镓蓝光
- ＧａＡｓ／ＩｎＰ异质材料的研究
- 章其麟任永一
- 关键词：砷化镓磷化铟材料力学性质化学汽相沉积
- MOCVD 生长 GaAlAs/GaAs HBT 材料的研究
- 1993年
- 研究了 MOCVD 法 GaAlAs/GaAs 多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了 GaAlAs 发射极的 PL 性质和多层材料的纵向浓度分布是 HBT 材料的质量表征的结论。采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到了良好的器件特性。
- 关兴国李景章其麟任永一
- 关键词：复合材料半导体材料MOCVD法
- 重掺碳砷化镓的光致发光研究
- 1994年
- 异质结双极晶体管（HBT）利用宽禁带材料作发射区来允许基区重掺杂以减小基区电阻且不降低直流电流增益.基区重掺杂会干扰半导体的能带结构,从而影响器件的光学性质和电学性能.Klausmeier-Brown等通过电学测量已证实:由于基区重掺杂使得注入到AlGaAs/GaAs-HBT基区的电子电流显著增大。
- 严北平罗晋生章其麟
- 关键词：砷化镓光致发光双极晶体管碳
- GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系被引量：1
- 1992年
- 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌关兴国章其麟
- 关键词：衬底红外光谱
- MOCVD法生长Ca_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系被引量：2
- 1992年
- 测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.
- 高瑛赵家龙刘学彦苏锡安梁家昌李景关兴国章其麟
- 关键词：近红外光致发光深能级
- 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质被引量：4
- 1999年
- 本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．
- 陈开茅孙文红秦国刚吴克李传义章其麟周锡煌顾镇南
- 关键词：氮化镓电学性质
- GaN材料生长研究被引量：9
- 1997年
- 用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２００～３５０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，双晶衍射半峰宽为７′，室温ＰＬ光谱本征发光波长为３７０ｎｍ，并首次观察到掺ＺｎＧａＮ呈ｐ型电导。
- 章其麟孙文红刘燕飞毕书亮耿金花秦国刚
- 关键词：氮化镓发光二极管
- 重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探
- 1995年
- 重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ...
- 严北平潘静蔡克理章其麟罗晋生
- 关键词：双极晶体管半导体异质结
