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胡远川

作品数:8 被引量:31H指数:3
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 7篇有机薄膜场效...
  • 7篇晶体
  • 7篇晶体管
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 2篇电极
  • 2篇淀积
  • 2篇载流子
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇迁移率
  • 2篇膜层
  • 2篇封装
  • 2篇封装方法
  • 2篇饱和电流
  • 2篇
  • 1篇第三电极
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电阻

机构

  • 8篇清华大学

作者

  • 8篇胡远川
  • 7篇邱勇
  • 7篇王立铎
  • 7篇董桂芳
  • 3篇高裕弟
  • 1篇马亚宁
  • 1篇张德强
  • 1篇谢俊锋

传媒

  • 2篇科学通报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
有机薄膜场效应晶体管及其载流子传输特性
有机薄膜场效应晶体管(OTFT)是有机电子学中的重要前沿课题,对于晶体管的性能和载流子传输机理的研究是该领域的重要研究方向。该论文研究了影响OTFT性能的主要因素和在气体氛围下OTFT的载流子传输机理。 论文分...
胡远川
关键词:有机薄膜场效应晶体管迁移率载流子
文献传递
铜酞菁缓冲层改善有机电致发光器件性能的机理研究被引量:8
2002年
利用铜酞菁薄膜充当缓冲层 ,研究了缓冲层对有机电致发光器件性能的影响 ,研究结果表明含有铜酞菁缓冲层的器件性能明显优于不含有缓冲层的器件 ,加入铜酞菁缓冲层后器件发光稳定性也得到了改善。本文对相关机理进行了探讨 ,分析认为 。
胡远川王立铎董桂芳张德强邱勇
关键词:有机电致发光器件界面电阻
一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法。该晶体管结构中的源极和漏极是一组具有梳形齿合形状的平行线条,这样的源漏极结构达到了提高晶体管饱和电流和缩小晶体管面积的目的。本发明的制备方法是通过全蒸镀法正向制备有机薄膜...
董桂芳胡远川王立铎邱勇高裕弟
文献传递
一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
本发明提供了一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法。该器件包括靠近基片梳形平行的第一电极和第二电极,远离基片的第三电极,以及夹在所述第一、第二电极和第三电极之间的有机半导体层和绝缘层。该制备方法中的绝缘层采用具有良好绝缘性...
董桂芳胡远川王立铎邱勇高裕弟
文献传递
有机薄膜场效应晶体管的研制被引量:9
2002年
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料,利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管.源极和漏极采用氧化铟锡,半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当,栅极采用银电极.在利用光刻制备沟道长度为50μm的源极和漏极后,依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层,得到器件的电子迁移率为1.1×10^(-6)cm^2·(V·s)^(-1),开关电流比大于500.
邱勇胡远川董桂芳王立铎高裕弟
关键词:有机薄膜晶体管铜酞菁聚四氟乙烯银电极氧化铟锡
柔性全有机薄膜场效应晶体管的制备和性能被引量:14
2003年
在聚乙烯基对苯二酸酯基片上依次制备氧化铟锡电极、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层、并五苯半导体层和金电极,得到了柔性全有机薄膜场效应晶体管,器件的载流子迁移率为2.10×10-2cm2·(V·s)-1,开关电流比超过105.同时研究了柔性全有机薄膜场效应晶体管在不同曲率半径下的性能.
邱勇胡远川董桂芳王立铎谢俊锋马亚宁
关键词:有机薄膜场效应晶体管载流子迁移率
一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法
本发明涉及一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法。该方法是向器件一侧或者两侧淀积封装层,其特征在于:该封装层由一层聚合物材料厚膜层组成或由聚合物材料薄膜层和陶瓷材料薄膜层以一定周期数n交替重叠组成。由这种封装方法制备的封装层...
董桂芳胡远川王立铎邱勇
文献传递
有机薄膜场效应晶体管及其封装方法
本发明涉及一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法。该方法是向器件一侧或者两侧淀积封装层,其特征在于:该封装层由一层聚合物材料厚膜层组成或由聚合物材料薄膜层和陶瓷材料薄膜层以一定周期数n交替重叠组成。由这种封装方法制备的封装层...
董桂芳胡远川王立铎邱勇
文献传递
共1页<1>
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