苏树兵
- 作品数：11 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高性能的Be掺杂基区InP/InGaAs SHBT
- 成功制作了MBE生长的Be掺杂基区的自对准InP/InGaAs单异质结双极晶体管(SHBT)。该器件的发射极尺寸为2×13μm:共射极直流增益β=100,残余电压V≈0.06V,膝点电压V≈0.3V,击穿电压BV≈3.8...
- 苏树兵于进勇刘新宇刘训春王润梅徐安怀齐鸣
- 关键词：MBE自对准磷化铟
- InP HBT发射结微短路现象研究
- 本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中,基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析,建立理论模型,分析微短路产生这些现象的原因,并提出避免HBT发射结微短路的一些方法.
- 于进勇苏树兵刘新宇夏洋申华军樊宇伟
- 关键词：异质结双极型晶体管发射结
- 文献传递
- 快速计算在片螺旋电感Q值的方法
- 提出了一种简便、准确的计算电感Q值的方法.这种方法直接从测量的S参数计算出电感的Q值,并用这种方法和两种常用方法做了分析比较.本文提出的算法不需要使用优化算法,不需要提取等效电路参数,避免了电感等效电路模型的误差,所以更...
- 袁志鹏苏树兵郑丽萍刘新宇
- 关键词：电感Q值S参数等效电路集成电路
- 文献传递
- 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2
- 2006年
- 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.
- 苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅
- 关键词：MBE双异质结双极晶体管
- 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
- 2006年
- 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
- 于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇
- 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管自对准
- 带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：2
- 2006年
- 设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.
- 孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍苏树兵刘新宇刘训春钱鹤
- 关键词：INP/INGAAS异质结双极晶体管
- 高性能异质结双极晶体管(HBT)的研制-InP基HBT器件及InGaAs基区GaAs DHBT器件的研制
- 苏树兵
- 关键词：双极晶体管砷化镓异质结
- 采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)
- 2006年
- 研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0·2V,膝点电压仅为0·5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz ,最大振荡频率为72GHz ,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.
- 苏树兵刘训春刘新宇于进勇王润梅徐安怀齐鸣
- 关键词：自对准发射极磷化铟
- MBE生长的InP DHBT的性能(英文)被引量：1
- 2006年
- 报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0·16V,膝点电压仅为0·6V,而击穿电压约为6V.器件的截至频率达到80GHz ,最大震荡频率为40GHz .这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.
- 苏树兵刘新宇徐安怀于进勇齐鸣刘训春王润梅
- 关键词：MBE磷化铟双异质结双极晶体管
- 异质结双极晶体管T型发射极金属图形制作方法的改进
- 本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺中化合物半导体异质结双极晶体管的发射极/基极金属图形自对准的制作方法。采用包括等离子体辅助化学气相沉积、光刻机、刻蚀机、金属蒸发设备和浸泡剥离设备，其特点是先在化合物半导体外延片的表...
- 苏树兵刘训春于进勇刘新宇王润梅郑英奎魏珂汪宁
- 文献传递
