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莘海维

作品数:15 被引量:51H指数:4
供职机构:上海交通大学微电子学院微电子技术研究所更多>>
发文基金:山西省青年科技研究基金教育部重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺一般工业技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇金刚石
  • 8篇刚石
  • 7篇金刚石薄膜
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇压力传感器
  • 4篇压阻
  • 4篇力传感器
  • 4篇介电
  • 4篇ALN薄膜
  • 3篇电性能
  • 3篇压阻式
  • 3篇微压
  • 3篇微压力传感器
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米金刚石
  • 3篇纳米金刚石薄...
  • 3篇介电性
  • 3篇介电性能

机构

  • 12篇上海交通大学
  • 4篇太原理工大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 15篇莘海维
  • 10篇张志明
  • 9篇沈荷生
  • 8篇戴永兵
  • 5篇凌行
  • 4篇万永中
  • 4篇潘俊德
  • 4篇奚正蕾
  • 4篇田林海
  • 3篇孙方宏
  • 3篇贺琦
  • 1篇汪涛
  • 1篇戴永斌
  • 1篇陆鸣
  • 1篇何贤昶
  • 1篇赵晋香
  • 1篇胡晓君

传媒

  • 4篇微细加工技术
  • 3篇热加工工艺
  • 1篇传感器技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇化学世界
  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇航空精密制造...
  • 1篇2001年纳...

年份

  • 2篇2003
  • 4篇2002
  • 5篇2001
  • 4篇2000
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
压阻式金刚石压力微传感器的制作与测试被引量:5
2003年
由于金刚石薄膜具有优良的高温压阻特性,适合于制作高温压力传感器。在Φ50mm〈100〉硅单晶衬底上用热丝CVD法生长本征多晶金刚石薄膜作为绝缘隔离层,通过掩模选择性生长法得到掺硼金刚石薄膜电阻条,再经金属化处理和腐蚀硅压力腔,得到了压阻式金刚石压力微传感器的原型器件。对该器件的压力输出特性测量表明,输出电压—压力曲线线性较好,重复性好,常温下灵敏度高。
凌行莘海维张志明孙方宏戴永兵沈荷生
关键词:压阻式金刚石薄膜压力微传感器制作方法
热丝CVD法生长纳米金刚石薄膜的研究被引量:26
2003年
系统地研究了热丝CVD法中反应气体压力对沉积产物金刚石薄膜的形貌和拉曼谱图的影响,提出了热丝CVD生长纳米金刚石薄膜的新工艺,并在50mm硅片上沉积得到高质量的多晶纳米金刚石薄膜。高分辨透射电镜分析表明,薄膜的晶粒尺寸约为10nm,〈111〉晶面间距为0.2086nm,与标准值0.2059nm很接近,晶粒周围由非晶结构包围。紫外激光拉曼光谱有尖锐的金刚石峰和明显的石墨峰。
张志明莘海维戴永兵孙方宏汪涛沈荷生
关键词:纳米金刚石
金刚石薄膜图形化技术的研究被引量:2
2002年
从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等。
莘海维奚正蕾凌行张志明
关键词:金刚石薄膜图形化刻蚀
高温压力传感器的新进展——金刚石微压力传感器被引量:1
2000年
工业上的某些场合要求压力传感器能够在高温、高辐射以及恶劣的环境下正常工作。金刚石的某些特殊性质 (如化学上的惰性、高的杨氏模量 )以及极大的压阻效应使其成为制作压阻型压力传感器的极佳材料。本文对利用多晶金刚石薄膜制造的新型高温、高灵敏度的压阻型金刚石微压力传感器 ,包括其原理、结构及其制造技术作了详细介绍。这种传感器适用于勘探、航空航天以及汽车工业。此外 ,还阐述了金刚石微压力传感器的研究现状 。
莘海维张志明沈荷生戴永兵万永中
关键词:压阻效应金刚石薄膜
电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探被引量:1
2001年
研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜的形核生长过程 。
潘俊德田林海莘海维贺琦赵晋香
关键词:ALN薄膜离子镀
纳米金刚石复合薄膜及微压力传感器的研究
金刚石压力传感器的制作是高温传感器件的一个重要研究方向,具有很大的市场潜力.该文围绕金刚石薄膜高温压力传感器的制作这一主题,从材料制备、器件结构设计、工艺设计以及制作几个方面对金刚石压力传感器进行了详细研究.在建立压阻式...
莘海维
关键词:纳米金刚石薄膜介电性能压力传感器
文献传递
电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜影响因素研究被引量:3
2000年
研究了 N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜质量的影响规律及其原因。
潘俊德田林海莘海维贺琦
关键词:ALN薄膜工艺参数
电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜工艺参数的研究
本文研究了应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜过程中N流量、阴极偏压和基体温度等工艺参数与合成AlN薄膜成分和结构的关系。结果表明,随N含量的增加,合成的AlN薄膜的纯度增加,当N流量达到30×10L/min时,可合...
田林海潘俊德莘海维贺琦何家文
关键词:AIN薄膜工艺参数
常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较被引量:1
2001年
用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明 ,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜 ,介电性能比较理想。两种薄膜的介电常数基本相同 ,损耗角正切值在1 0 5 Hz处都有弛豫极大值 ,表明在该频率范围内 ,主要为弛豫损耗机制。
奚正蕾莘海维张志明凌行沈荷生戴永兵万永中陆鸣
关键词:金刚石薄膜纳米金刚石薄膜介电性能
压阻式金刚石微压力传感器被引量:2
2001年
工业上的某些场合要求压力传感器能够在高温、高辐射以及恶劣的环境下正常工作。金刚石的某些特殊性质 (如化学上的惰性、高的杨氏模量 )以及极大的压阻效应使其成为制作压阻型压力传感器的极佳材料。对利用多晶金刚石薄膜制造的新型高温、高灵敏度压阻型金刚石微压力传感器的原理、结构及其制造技术作了详细介绍。这种传感器适用于勘探、航空航天以及汽车工业。此外 ,还阐述了金刚石微压力传感器的研究现状 ,并进一步指出目前存在的问题。
莘海维张志明沈荷生戴永兵万永中
关键词:压阻效应压力传感器
共2页<12>
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