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许卓

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇热氧化
  • 2篇氧化钨
  • 2篇氧气含量
  • 2篇三氧化钨
  • 2篇热氧化法
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米片
  • 2篇场发射
  • 2篇场发射特性
  • 1篇原位

机构

  • 5篇中山大学

作者

  • 5篇许宁生
  • 5篇陈军
  • 5篇邓少芝
  • 5篇许卓
  • 2篇刘飞
  • 2篇陈道坤
  • 1篇刘飞
  • 1篇郭同义

传媒

  • 1篇真空电子技术
  • 1篇首届X射线管...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究
冷阴极在X射线源中有重要应用.本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列.制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比.场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷...
陈道坤许卓刘飞邓少芝许宁生陈军
关键词:场发射特性
一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法
本发明公开了一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法。本发明不采用任何催化剂,直接将金属钨原料加热至一定温度并保温,通过通入N<Sub>2</Sub>、Ar等惰性气体,控制氧化环境中的氧气含量低于10%。保温结束后自然冷却...
陈军许卓邓少芝许宁生
文献传递
氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究被引量:2
2015年
冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中。
陈道坤许卓刘飞邓少芝许宁生陈军
关键词:场发射特性
一种有效提高氧化钨纳米线阵列的场发射均匀性的原位等离子体处理工艺
氧化钨纳米材料由于具有较低的开启电场和阈值电场,能够在较为温和的条件实现场致电子发射,所以被认为是一种优良的冷阴极纳米材料。但是近年来氧化钨纳米材料在场发射领域的发展遭遇到了一个瓶颈,即它的场发射均匀性无法满足其在平板显...
刘飞郭同义许卓莫小姝甘海波陈军邓少芝许宁生
文献传递
一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法
本发明公开了一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法。本发明不采用任何催化剂,直接将金属钨原料加热至一定温度并保温,通过通入N<Sub>2</Sub>、Ar等惰性气体,控制氧化环境中的氧气含量低于10%。保温结束后自然冷却...
陈军许卓邓少芝许宁生
共1页<1>
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