谭少博
- 作品数：24 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电气工程更多>>
- 制备P(VDF-DB)-g-S-C<Sub>3</Sub>H<Sub>6</Sub>-SO<Sub>3</Sub>H质子交换膜材料的方法
- 制备P(VDF‑DB)‑g‑S‑C<Sub>3</Sub>H<Sub>6</Sub>‑SO<Sub>3</Sub>H质子交换膜材料的方法，先将P(VDF‑CTFE)与催化剂同时溶于一定溶剂中，在一定温度条件下搅拌反应一定...
- 张志成牛之静李欣慰谭少博
- 文献传递
- PMMA/P(VDF-TrFE)共混体系的介电储能性能
- 2017年
- 采用溶液流延法成膜制备了不同聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)含量的PMMA/偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物(P(VDFTr FE))共混试样。采用FTIR,XRD,DSC等方法对共混试样进行了表征,研究了不同PMMA含量对共混试样的结晶、介电、储能性能的影响。表征结果显示,不同热处理方式及PMMA的引入不会改变P(VDF-Tr FE)的β晶型;随PMMA含量的增加,共混试样的结晶度降低。实验结果表明,加入PMMA后导致共混试样的介电常数、介电损耗、能量损耗降低,改善了材料的介电储能性能。
- 苗贝张亚楠谭少博张志成
- 关键词：介电性能
- P(VDF-TrFE)聚合物在声发射传感器方面的应用被引量：1
- 2020年
- 为了研究聚(偏氟乙烯-三氟乙烯) (P(VDF-TrFE))聚合物对声发射信号接收及传感性能的影响,采用流延法制备了P(VDF-TrFE)薄膜,系统地比较了经不同退火温度处理的P(VDF-TrFE)聚合物的结晶度和电学性能,并建立了一种快速测试P(VDF-TrFE)聚合物薄膜声发射响应性能的方法。结果表明:随退火温度升高,P(VDF-TrFE)聚合物结晶度和介电常数逐渐增加。在电场200 MV/m下,经150℃退火处理的薄膜压电应变常数最大,其值为24.5 pC/N。提高退火温度同样有利于薄膜的声发射传感性能,其接收信号峰幅值可达72.2 mV。这为PVDF基氟聚合物在声发射传感器方面的应用提供了参考。
- 廖佳妮田昕谭少博张志成
- 关键词：退火温度介电性能压电性能声发射
- 一种改性氟聚合物粘结剂及其制备方法和应用
- 本发明一种改性氟聚合物粘结剂及其制备方法和应用，属于高聚物粘结剂技术领域。本发明方法包括：1称取聚偏氟乙烯‑三氟氯乙烯，加入N,N‑二甲基甲酰胺或者N,N‑二甲基甲酰胺与四氢呋喃的混合物，充分溶解后加入催化剂和接枝单体，...
- 张志成郭益谭少博
- VDF/CTFE共聚物CuX（X=Cl,Br）配合物催化氢化法制备VDF/TrFE/CTFE三元共聚物的研究
- ＜正＞本文报道了一种用于偏氟乙烯/三氟氯乙烯共聚物（VDF/CTFE共聚物）制备偏氟乙烯/三氟乙烯/三氟氯乙烯共聚物（VDF/TrFE/CTFE共聚物）的新方法,该方法以CuCl与2′,2-Bpy的配合物为催化剂,N-甲...
- 谭少博刘二强张秋萍张志成
- 关键词：原子转移氢化
- 文献传递
- VDF/CTFE共聚物CuX(X=Cl,Br)配合物催化氢化法制备VDF/TrFE/CTFE三元共聚物的研究
- 谭少博刘二强张秋萍张志成
- 关键词：原子转移氢化
- 制备聚（偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯）和聚（偏氟乙烯-三氟乙烯）的方法
- 制备聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯)和聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)的方法，采用N,N‑二甲基甲酰胺等为溶剂，以染料类或者金属配合物作为光敏剂，并以硅烷试剂等为链转移剂，由P(VDF‑CTFE)为原料一步法合成P(VDF‑...
- 张志成谭少博
- 文献传递
- 可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法
- 可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一、在三口瓶中，加入P(VDF-CTFE)，同时加入溶剂和催化剂搅拌反应；步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入盐酸烧杯中，聚合物析出；步骤三、将步骤二得...
- 张志成谭少博
- 文献传递
- TEMPO引发热自交联氟聚合物的合成与性能研究
- 陈静谭少博张志成
- 关键词：TEMPO
- 一种裂纹监测用柔性压电传感器及其制备方法
- 本发明公开了一种裂纹监测用柔性压电传感器及其制备方法，属于压电复合薄膜传感器技术领域，该柔性压电传感器包括核心压电元件聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)/有机改性蒙脱土(P(VDF‑TrFE)/OMMT)复合材料，该柔性压电传感器...
- 解云川张志成张晋马登龙路涛张林军谭少博
