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赵凤瑷

作品数:10 被引量:56H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 4篇半导体
  • 3篇导体
  • 3篇半导体量子点
  • 2篇导热
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇生长温度
  • 2篇子线
  • 2篇量子线
  • 2篇开关时间
  • 2篇INP基
  • 2篇不锈钢外壳
  • 2篇衬底
  • 1篇形貌
  • 1篇应变层
  • 1篇制备及特性
  • 1篇砷化铟
  • 1篇石墨
  • 1篇探测器

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇兰州大学

作者

  • 10篇赵凤瑷
  • 8篇王占国
  • 4篇张春玲
  • 3篇刘祥林
  • 3篇焦春美
  • 3篇金鹏
  • 2篇魏宏源
  • 2篇刘峰奇
  • 2篇张攀峰
  • 2篇张晓沛
  • 2篇董向芸
  • 2篇杨少延
  • 2篇范海波
  • 1篇何军
  • 1篇朱天伟
  • 1篇李成明
  • 1篇孟宪权
  • 1篇谢二庆
  • 1篇徐波

传媒

  • 2篇物理
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 5篇2004
  • 2篇2002
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
InP基上InAs纳米结构构型的研究
本文主要从生长环境的不同和晶格失配所产生的应力这两方面总结了InP基上InAs纳米结构产生不同构型的原因,以便能够更好的利用和开发它们在实际工作中的应用.
赵凤瑷徐波金鹏王占国
关键词:INP基量子点量子线
文献传递
半导体量子点及其应用(Ⅰ)被引量:50
2004年
量子点 ,又称“人造原子” ,它是纳米科学与技术研究的重要组成部分 .由于载流子在半导体量子点中受到三维限制而具有的优异性能 ,构成了量子器件和电路的基础 ,在未来的纳米电子学、光电子学 ,光子、量子计算和生命科学等方面有着重要的应用前景 ,受到人们广泛重视 .文章分为Ⅰ、Ⅱ两个部分 :第Ⅰ部分介绍了半导体量子点结构的制备和性质 ;第Ⅱ部分介绍了量子点器件的可能应用 .
赵凤瑷张春玲王占国
关键词:半导体量子点
量子点垂直腔面发射激光器有源区制备研究
采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子...
孟宪权徐波金鹏李成明张子杨赵凤瑷刘峰奇王占国
关键词:量子点垂直腔面发射激光器光纤通讯垂直腔面
文献传递
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置,包括:衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度,而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区,...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
文献传递
一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置,包括:衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度,而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区,...
杨少延刘祥林赵凤瑷焦春美董向芸张晓沛范海波魏宏源张攀峰王占国
文献传递
InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究被引量:6
2004年
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响 .原子力显微镜 (AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀 ;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到 1 32和 1 4 μm ,而单层量子点的发光波长仅为 1 1μm ,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响 ,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法 .
朱天伟徐波何军赵凤瑷张春玲谢二庆刘峰奇王占国
关键词:砷化铟PL谱发光波长
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点被引量:1
2004年
在 Ga As基 Inx Ga1 - x As(x=0 .15 )应变层上生长了 In As量子点 (QD)层 ,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程 ,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪 (RHEED)实时监测 ,并观察生长后的表面形貌 ,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度 ,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄 .如果同时控制 QD层在刚刚出点 ,则 QD主要沿着较窄的布纹结构排列 ,从而得到有序排列的
张春玲赵凤瑷徐波金鹏王占国
关键词:量子点
半导体量子点及其应用(Ⅱ)被引量:1
2004年
赵凤瑷张春玲王占国
关键词:半导体量子点半导体物理学量子器件量子点红外探测器
InP基半导体量子点、量子线的分子束外延生长、表征及生长机理研究
半导体低维结构(量子点、量子线)的应变自组装生长及对形成的纳米结构的特性的研究,不仅对在基础研究中有重要的学术意义.而且有望开拓广阔的应用前景,因而得到了国内外材料科学工作者的广泛重视,成为国际上的前沿研究课题之一.作者...
赵凤瑷
关键词:量子点量子线形貌
原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法
本发明涉及一种原位非接触探测金属有机物化学气相沉积(MOCVD)石墨温度分布的方法。该方法是利用数码相机对石墨进行拍摄,并根据需要在相机镜头前加滤光镜,然后利用电脑读取所拍摄的图像中的数据文件,根据文件所记录的构成每个象...
刘祥林赵凤瑷焦春美
文献传递
共1页<1>
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