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赵梅瑜

作品数:72 被引量:308H指数:10
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 50篇期刊文章
  • 15篇专利
  • 7篇会议论文

领域

  • 27篇化学工程
  • 23篇电气工程
  • 21篇一般工业技术
  • 8篇电子电信
  • 3篇冶金工程
  • 2篇理学

主题

  • 46篇陶瓷
  • 19篇微波介质
  • 18篇介质陶瓷
  • 13篇微波介质陶瓷
  • 10篇钛酸
  • 10篇介电
  • 10篇粉体
  • 9篇电性能
  • 8篇BA
  • 7篇陶瓷材料
  • 7篇介电性
  • 7篇超导
  • 6篇压电
  • 6篇钛酸钡
  • 6篇微波介电
  • 6篇介电性能
  • 6篇BATIO
  • 5篇导体
  • 5篇烧结助剂
  • 5篇功能陶瓷

机构

  • 72篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 72篇赵梅瑜
  • 28篇王依琳
  • 27篇吴文骏
  • 23篇李承恩
  • 20篇殷之文
  • 19篇姚尧
  • 12篇李蔚
  • 12篇金行运
  • 7篇倪焕尧
  • 6篇王宁
  • 6篇卞建江
  • 5篇周恩济
  • 5篇薛军民
  • 4篇祝炳和
  • 3篇黄野明
  • 3篇温树林
  • 3篇卢永康
  • 3篇朱为民
  • 3篇宋祥云
  • 3篇毛文东

传媒

  • 22篇无机材料学报
  • 8篇电子元件与材...
  • 7篇硅酸盐学报
  • 3篇功能材料
  • 2篇科学通报
  • 2篇电子元件
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇物理
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇上海微电子技...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第三次全国功...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第三届中国功...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 3篇2004
  • 6篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
  • 4篇1999
  • 10篇1998
  • 6篇1997
  • 7篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 3篇1991
  • 2篇1990
72 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种改性偏铌酸铅高温压电陶瓷,属于陶瓷制备领域。其特点是在配方Pb<Sub>1-X</Sub>Mc<Sub>X</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>+y wt%中,x、y的量较小,而...
李承恩卢永康周家光王志超朱为民赵梅瑜倪焕尧
文献传递
TiO_2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响被引量:5
1997年
本文对TiO_2原料的品型、颗粒状况和纯度对γ3+掺杂BaTiO_3基PTCR材料的显微结构、电性能的影响作了探讨.结果表明,TiO_2原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到PTCR陶瓷的显微结构.TiO_2原料的晶型对PTCR陶瓷半导化过程有影响.原料存在杂质和团聚,将使PTCR陶瓷的电阻—温度特性变差.
王依琳姚尧赵梅瑜祝炳和
关键词:氧化钛掺杂陶瓷半导体
提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法
本发明涉及一种提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法,其特征在于(1)含钛微波介质陶瓷组成分子式为Ba<Sub>2</Sub>Ti<Sub>9</Sub>O<Sub>20</Sub>;(2)Ba<Sub>2</S...
王依琳吴文骏赵梅瑜李蔚
文献传递
合成工艺对BiNbO_4微波介质陶瓷的影响被引量:1
1998年
本文研究了BiNbO4粉料合成温度及烧结助剂CuO-V2O5添加程序对BiNbO4陶瓷烧结特性及微波介电性能的影响.结果表明:合成温度为850℃/2h及合成后加入烧结助剂CuO-V2O5的BiNbO4陶瓷有高的密度值、较为均匀的晶粒尺寸及良好的介电性能:在100MHz,εr=49~52,在3GHz,εr=44,Q=2000~2300,τr=38ppm(-40~25℃);τr=±6ppm(25~85℃).
姚尧赵梅瑜吴文骏王依琳
关键词:BINBO4微波介质陶瓷
粒级组配工艺制备高磁导率Ni-Cu-Zn铁氧体被引量:4
2004年
介绍了一种采用物理方法降低Ni-Cu-Zn铁氧体材料烧结温度的工艺一粒级组配工艺。通过纳米粉体与微米粉体的合理匹配,使材料的致密化过程加速,有效地降低了材料的烧结温度,并使材料的初始磁导率保持较高值。当纳米粉体含量为10%时,Ni0.13Cu0.26Zn0.64Fe1.98O4铁氧体的烧结温度为900℃,初始磁导率达764。
王依琳赵梅瑜吴文骏
关键词:软磁铁氧体纳米粉体
低温烧结微波介质陶瓷被引量:49
2002年
在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。
赵梅瑜王依琳
关键词:微波介质陶瓷液相烧结微波器件致密化
低温烧结(Zr_(0.8)Sn_(0.2))TiO_4陶瓷的晶相组成与微波介电性能被引量:10
2005年
讨论了低温烧结(Zr0.8Sn0.2)TiO4微波介质陶瓷的晶相组成与制备工艺、掺杂离子的关系,结果表明:粉体的合成温度对烧结体的晶相构成有很大的影响,进而影响材料的谐振频率温度系数竹,稍高的合成温度有利于提高α-PbO型ZST相的稳定性,使谐振频率温度系数τf由107 ppm/℃降至20.88 ppm/℃.采用Nb5+离子掺杂能更有效地抑制烧结过程中游离氧化物相的析出,当Nb5+达到0.15mol%时,920℃烧结样品的介电常数为25,谐振频率温度系数τf为-2.44 ppm/℃,品质因数Q·f达4868GHz(5GHz).
王依琳赵梅瑜吴文骏李蔚
关键词:微波介质
不同起始原料对BMT微波介质材料烧结及微波介电性能的影响
作利用BET,SEM,TEM等分析测试手段研究了不同起始原料对BMT微波介质陶瓷烧结性能及微波介电性能的影响,发现用自制的Ta〈,2〉O〈,5〉&#183;xH〈,2〉O为起始原料合成的BMT粉料比用一般Ta〈,2〉O〈...
卞建江赵梅瑜
关键词:微波介电性能微观结构致密度
PLZT陶瓷的晶界现象被引量:3
1999年
利用显微技术,研究了PLZT陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片, 利用十字形电极, 观察在电场作用下, 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象,如: 晶界平滑区, 晶界区的电光性, “壳-芯”结构, 析出物在晶界区的沉积, 电畴在该区的成核和生长, 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区,
祝炳和赵梅瑜姚尧郑鑫森敖海宽殷之文
关键词:功能陶瓷晶界电畴PLZT
Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3合成过程及烧结性的研究被引量:1
1998年
利用DTA/TGA、XRD、SEM等分析手段,研究了不同起始原料制备的BMT合成过程及其烧结行为,发现以Ta2O5·xH2O为起始原料,可减少合成过程中产生的中间相,在较低的温度下合成单相BMT,改善了其烧结性.
卞建江赵梅瑜殿之文
关键词:烧结性BMT陶瓷
共8页<12345678>
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