赵红生
- 作品数：15 被引量：33H指数：3
- 供职机构：宁夏大学物理电气信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- Cd_xZn_(1-x)Se三元合金电子和光学特性的第一性原理计算(英文)
- 2012年
- 基于第一性原理计算方法研究了CdxZn1-xSe三元合金以B3(闪锌矿),硫钒铜矿(P43 m)及四方(P42 m)相存在时的结构、电子和光学特性.对这些三元合金中的晶格常数、体积弹性模量及能带隙的大小对Cd含量x的依赖关系进行了分析.计算和讨论了这些合金中的角动量投影态密度的分布和变化情况.对CdxZn1-xSe三元合金的一些光学特性,如介电函数、折射系数和能量损失函数,也进行了计算和讨论,计算中所用的入射光子能量范围为0～25eV.研究结果与文献中已有的数据相当吻合.
- 赵红生杨涛武德起
- 关键词：光学性质电子结构第一性原理计算
- 大直径FZSi中的微缺陷研究
- 2002年
- 经过化学—机械抛光后 ,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片 ,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形。使用FTIR、XPS、SEM能谱分析等手段的测量结果表明 ,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂 (磷、硼 )和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系 ,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果。本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨。
- 张维连赵红生孙军生张恩怀陈洪建高树良刘涛胡元庆李颖辉郭丽华
- 关键词：热对流点缺陷单晶微缺陷
- 掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀被引量：7
- 2002年
- 利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺 ,生长了直径为 6 0、5 0和 40mm ,掺锗量为 0 1%和 0 5 % (锗硅重量比 )的锗硅单晶 .利用化学腐蚀 金相显微镜法、扫描电子显微镜 (SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况 .发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同 ,体内存在着较高密度的氧微沉淀 .在晶体尾部 ,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集 ,出现了“组分过冷”现象 ,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长 .晶体中高密度氧的微沉淀经过 12 5 0℃热处理 1h后会溶解消失 .
- 张维连李嘉席陈洪建孙军生张建新张恩怀赵红生
- 关键词：氧沉淀晶体缺陷
- 自适应伪蒙特卡罗算法及其在拟合太阳电池I-V曲线中的应用
- 2003年
- 文章分析了序贯数论优化算法用于太阳电池I-V曲线拟合时的不足之处,将遗传算法中自适应搜索的思想和序贯数论优化算法相结合提出了一种自适应伪蒙特卡罗算法。该算法的基本过程是:以太阳电池等效电路的数学模型为基础建立目标函数;在拟合时,利用自适应搜索算法来随机地确定收缩比,即,用第t次拟合中的计算结果来确定第t+1次的最优参数可取值范围,使各步中目标函数的参数空间构成一个最优决策序列。拟合结果表明,该算法比直接采用伪蒙特卡罗算法具有更少的计算量、更高的收敛性和鲁棒性。
- 赵红生顾军华张维连任丙彦
- 第一性原理新进展:GW方法
- 基于量子力学的第一性原理方法,在计算材料的基态性质上获得了极大的成功,但它也面临着严重的困难:诸如计算的能带隙严重偏低、计算的各种光谱与实验测量结果相差甚远等等.造成这些现象的原因是密度泛函理论的自洽Kohn-Sham方...
- 赵红生姚金城武德起常爱民
- 关键词：第一性原理
- 文献传递
- 高效、低成本单晶硅太阳电池研究及其均匀设计的软件实现
- 该论文从这个角度出发,着重研究了适合工业化生产的机械刻槽埋栅电池的制备技术及其参数设计的软件实现方法.该论文总体上分为两大部分.第一部分着重于适合工业化生产的机械刻槽埋栅电池的制备技术的研究.针对机械刻槽埋栅电池中'选择...
- 赵红生
- 关键词：太阳电池
- 文献传递
- 高介电栅介质材料研究进展被引量：6
- 2008年
- 传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
- 武德起赵红生姚金城张东炎常爱民
- 关键词：晶化温度
- 掺锗直拉硅体单晶的生长被引量：1
- 2004年
- 为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉速一般控制在 0 .2～ 0 .5 mm/分。当磁场强度较高时 ,熔体中由于重力场引起的热对流和质量对流在一定程度上被抑制 ,类似于空间微重力环境生长晶体的条件 ,晶体中锗和氧杂质分布均匀性的问题得到了较好地控制。文中利用扫描电子显微镜 ( SEM)能谱分析和二次离子质谱 ( SIMS)等方法观测了PMCZ法生长的掺锗 Si单晶中锗的分布状况。发现用 PMCZ法生长的锗硅晶体比常规 CZ法生长的晶体杂质均匀性要好些。同时发现 ,由于晶体生长速率很低 ,使得掺锗硅中产生了大量的过饱和氧的微沉淀。这些微沉淀经过 1 2 5 0°C热处理后会溶解消失。在晶体尾部 ,由于锗在硅中的分凝系数小于 1 ,使得锗在熔体中高度富集 ,产生了“组份过冷现象”,出现了枝状结晶生长。
- 张维连赵红生陈洪建孙军生张恩怀
- 关键词：永磁场直拉法
- 基于双指数模型的太阳电池输出特性计算机模拟被引量：13
- 2004年
- 以双指数形式太阳电池理论模型为基础,用实验数据拟合太阳电池的I—V特性。然后利用获得的重要待定参数的拟合值对太阳电池的I—V和P—V特性计算机模拟,并分析了它们对太阳电池性能的不同影响机制。
- 张维连赵红生左燕吕海涛牛新环蒋中伟
- 关键词：太阳电池计算机模拟
- ZnO电子结构及高压相变的第一性原理研究
- 2010年
- 基于屏蔽交换的LDA方法研究了高压下B4及B1相ZnO的能带结构和态密度特性;使用GGA WC交换关联泛函,计算了B4,B3,B2和B1相结构ZnO的基态能量、晶格常数、体模量及其对压力的导数.计算结果表明:ZnO在从纤锌矿(B4)转变为岩盐(B1)结构的过程中,存在着一个亚稳平衡过渡相,即闪锌矿结构(B3).计算得到的相变压Ptr表明:随着外压的增加,ZnO将依照B4→B3→B1→B2的路径发生一系列的结构相变,相变压依次为Ptr(B4→B3)=3.156 GPa,Ptr(B3→B1)=7.996 GPa,Ptr(B4→B1)=9.855 GPa,Ptr(B1→B2)=253.605 GPa.
- 赵红生谷玉丹李燕
- 关键词：ZNO相变第一性原理
