赵鸿飞
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家部委预研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究被引量：3
- 2010年
- 对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应,但它较电离效应具有一定滞后性。
- 赵鸿飞杜磊何亮包军林
- 关键词：Γ射线实时监测基区电阻
- 硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究
- 2011年
- 针对硅材料和硅基器件辐照损伤机理之间存在的矛盾,采用对单结晶体管基区电阻实时监测的方法,得到单结晶体管基区阻值随γ射线辐照剂量的增加先减小后增大的规律.结合国内外硅材料和器件的辐照理论,从γ射线与物质的微观作用分析,提出单结晶体管基区主要的γ射线辐照机制位移效应较电离效应具有一定滞后性的观点,解决了原有矛盾,对器件加固的研究具有重要意义.
- 赵鸿飞杜磊何亮包军林
- 关键词：单结晶体管Γ射线实时监测基区电阻
- 多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
- 2009年
- 在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。
- 张天福杜磊何亮陈伟华赵鸿飞
- 关键词：多晶硅
- 硅材料抗辐射能力噪声评价技术研究
- 硅材料是当今最主要的微电子和光伏材料，硅太阳能电池更是应用卫星和太空装置最重要的持续，洁净的动力供应源。因此，通过研究硅材料抗辐射能力来提高辐射环境下器件性能是具有实际意义的。
噪声与材料和电子器件的缺陷密切相关，...
- 赵鸿飞
- 关键词：硅材料硅太阳能电池噪声评价
- 文献传递
