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郑芳林

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇寄生电容
  • 3篇栅极
  • 2篇电容
  • 2篇读写
  • 2篇多介质
  • 2篇修正因子
  • 2篇栅结构
  • 2篇保角变换
  • 2篇MOS器件
  • 2篇侧墙
  • 2篇存储电路
  • 1篇电路
  • 1篇电路元件
  • 1篇电压
  • 1篇电压控制
  • 1篇电压源
  • 1篇电源电压
  • 1篇电子器件
  • 1篇电阻
  • 1篇元件

机构

  • 7篇华东师范大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 7篇郑芳林
  • 5篇李小进
  • 5篇石艳玲
  • 5篇孙亚宾
  • 4篇孙立杰
  • 2篇任佳琪
  • 1篇熊大元
  • 1篇张永华
  • 1篇王永亮

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种独立三栅FinFET器件的多阈值电压调控方法
本发明公开了一种能够实现多个阈值电压控制模式并且具备三个独立栅极结构的新型FinFET器件的多阈值电压调控方法，在无额外电压源的情况下，对左侧栅极金属层、右侧栅极金属层、顶部栅极金属层分别施加电源电压或接地，实现五种不同...
刘程晟郑芳林石艳玲李小进孙亚宾
文献传递
适用于存储单元的具备独立三栅结构的FinFET器件
本发明公开了一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的新型FinFET器件，该器件结构包括：衬底、氧化物层、鳍形结构、栅极金属层、栅极介质层及侧墙，栅极介质层包括：设置在鳍形结构左侧的左侧栅极介质层、设置在鳍形结构右侧的右侧...
刘程晟郑芳林孙立杰石艳玲李小进孙亚宾
文献传递
一种三维MOS器件栅围寄生电容模型获取方法
本发明公开了一种三维MOS器件栅围寄生电容模型的获取方法，包括：步骤一：划分三维MOS器件栅围寄生电容，得到包含平行板电容和垂直板电容的基本电容结构模型；步骤二：近似计算所述基本电容结构模型的单元电容；步骤三：基于保角变...
郑芳林孙立杰任佳琪刘程晟石艳玲李小进孙亚宾
第四种基本电路元件忆阻器及其应用
2013年
忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一。给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能。介绍了基于氧化钛纳米薄膜的忆阻器的实际物理原理和工艺实现方法,总结了忆阻器在尺寸、速度、记忆能力和功耗等方面的优异性能。最后,举例说明了忆阻器在开发新一代高密度非易失型存储器和生物模拟领域可以起到的巨大的作用和其诱人的发展前景。
张永华郑芳林熊大元王永亮
关键词：纳米电子器件数学模型突触
深纳米工艺代三维FinFET栅围寄生效应及模型研究
随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步,由于较好的栅极控制能力、较低漏电及更高集成度,三维FinFET成为深纳米工艺代中的核心器件。然而三维结构和复杂电场分布所引入的寄生效应对FinFET性能的影响愈发不容忽视。三维Fi...
郑芳林
关键词：寄生电容寄生电阻TCAD
文献传递
一种三维MOS器件栅围寄生电容模型获取方法
本发明公开了一种三维MOS器件栅围寄生电容模型的获取方法，包括：步骤一：划分三维MOS器件栅围寄生电容，得到包含平行板电容和垂直板电容的基本电容结构模型；步骤二：近似计算所述基本电容结构模型的单元电容；步骤三：基于保角变...
郑芳林孙立杰任佳琪刘程晟石艳玲李小进孙亚宾
文献传递
适用于存储单元的具备独立三栅结构的FinFET器件
本发明公开了一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的新型FinFET器件，该器件结构包括：衬底、氧化物层、鳍形结构、栅极金属层、栅极介质层及侧墙，栅极介质层包括：设置在鳍形结构左侧的左侧栅极介质层、设置在鳍形结构右侧的右侧...
刘程晟郑芳林孙立杰石艳玲李小进孙亚宾
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