陆乐
- 作品数：7 被引量：23H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程机械工程一般工业技术更多>>
- 驱动信号与微波信号物理隔离的RF MEMS开关的研究被引量：2
- 2005年
- 针对MEMS开关在宽带应用时遇到的驱动信号与微波信号间的干扰问题,论述了驱动信号与微波信号物理隔离的多种开关的设计,分析了4种结构形式的MEMS开关,使用IntelliSuite○R软件进行开关机电耦合分析。在开关总的结构尺寸确定的前提下,使用ADS/Momentum场分析软件,微调膜桥和梁的结构参数,通过通孔接地实现微带线与CPWG信号的连接,通过驱动电极的结构和连接方式及与微波信号线间隙的调整,实现了MEMS开关整体性能的优化。
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙周百令
- 关键词：MEMS开关机电耦合电磁场
- 开关线型四位数字MEMS移相器被引量：3
- 2005年
- 介绍了一种基于射频微机械串联开关设计的开关线型四位数字微机电系统(Micro-electromechanical Systems以下简称MEMS)移相器.该移相器集成了16个RF MEMS开关,使用了13组四分之一波长传输线和MIM接地耦合电容,有效地使开关的驱动信号和微波信号隔离,串联容性开关设计有效地降低了开关的启动电压.使用低温表面微机械工艺在360 μm厚的高阻硅衬底上制作移相器,芯片尺寸4.8 mm×7.8 mm.移相器样品在片测试结果表明,频点10.1 GHz,22.5°相移位的相移误差为±0.4°,插损2.8 dB;45°位的相移误差为±1.1°,插损2.0 dB;在X波段,对16个相移态的测试结果表明,移相器的插入损耗小于4.0 dB,驻波比小于2.4,开关驱动电压为17～20 V.
- 朱健周百令林金庭郁元卫陆乐
- 关键词：射频微机电系统开关
- 双膜桥微波MEMS开关被引量：9
- 2003年
- 介绍了一种双膜桥微波MEMS开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的仿真模型 ,使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品 ,其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层 ,然后制作具有微电感结构的金属膜桥 ,提高了开关隔离度。利用HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3～ 6GHz)有着很好的隔离性能。研制的开关样品在片测试的电性能指标为 :插损小于 0 .3dB ,隔离度大于 4 0dB ,驱动电压小于 2 4V。
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙
- 关键词：微机电系统射频开关高隔离度开关隔离度
- LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺被引量：5
- 2008年
- 对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系。实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率。生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1000。
- 王立峰贾世星陆乐姜理利
- 关键词：LPCVD多晶硅
- 高隔离度S波段MEMS膜桥开关被引量：8
- 2004年
- 常规的 MEMS膜桥开关在 1 0 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度 (>2 0 d B)的优点。文中介绍了一种应用于微波低频段—— S波段的高隔离 MEMS膜桥开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的等效电路模型。通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施 ,达到提高开关隔离度的目的。利用 HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3～ 6GHz)有着很好的隔离性能。开关样品在片测试的电性能指标 :插损 <0 .3 d B,隔离度 >40 d B,驱动电压 <2 0
- 朱健周百令郁元卫陆乐贾世星张龙
- 关键词：MEMS隔离度S波段
- 双膜桥微波MEMS开关
- 介绍了一种双膜桥微波MEMS开关,给出了开关的设计与优化方法,建立了开关的仿真模型,使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品,其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层,然后制作具有微电感结构的金属膜桥,提高了...
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙
- 关键词：微机电系统射频开关高隔离度仿真模型
- 文献传递
- 驱动信号与微波信号物理隔离的RF MEMS开关的研究
- 本文针对MEMS开关在宽带应用时遇到的驱动信号与微波信号间的干扰问题,论述了驱动信号与微波信号物理隔离的多种开关的设计,分析了4种结构形式的MEMS开关,使用IntelliSuite软件进行开关机电耦合分析.在开关总的结...
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙周百令
- 关键词：MEMS开关机电耦合驱动信号微波信号
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