陈余
- 作品数：11 被引量：7H指数：2
- 供职机构：内蒙古工业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金内蒙古自治区高等学校科学研究项目更多>>
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- 静水压力对Al14Mn2P16磁光性质影响的密度泛函理论研究
- 2020年
- 采用第一性原理,研究不同静水压力(0~20 GPa)下Al14Mn2P16的弹性与磁光性质.计算得到基态是铁磁态.弹性稳定性判据表明该体系是稳定的.研究发现磁矩随静水压力的增加而减小.静水压力低于5 GPa时,居里温度达到184 K,随着静水压力的增加略有下降;有趣的是,当静水压力高于5 GPa时,随着静水压力的增加,居里温度急剧下降,在18 GPa时消失.同时还发现随静水压力的增加可见光范围的吸收峰有明显的蓝移,当静水压力达到20 GPa时,可见光范围的吸收峰消失.
- 陈余邢永明
- 关键词：稀磁半导体居里温度静水压力密度泛函理论
- 反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响被引量：1
- 2010年
- 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。
- 关玉琴陈余赵春旺
- 关键词：稀磁半导体材料居里温度
- 单轴应变对CuO光吸收谱影响的密度泛函理论研究
- 2019年
- 基于密度泛函理论计算了单轴应变对CuO吸收谱的影响。在可见光范围内,施加负应变时,吸收峰呈现出蓝移现象;施加正应变时,吸收峰呈现出红移现象;εz增加到6%以后,吸收谱不存在吸收峰。在红外光范围内:施加负应变时,εx造成吸收峰呈现红移现象,εz造成吸收峰呈现蓝移现象;施加正应变时,εy造成吸收峰呈现红移现象,εz造成吸收峰呈现蓝移现象;εx增加到4%以后,吸收谱不存在吸收峰。
- 陈余邢永明
- 关键词：氧化铜密度泛函理论吸收谱
- 偏心压缩实验教学改革与仿真软件设计
- 2022年
- 随着虚拟仪器的发展,仿真实验在高等教育中得到广泛重视,根据内蒙古工业大学开设的“偏心压缩”实验,开发了一套用于仿真实验与实验数据处理的仿真软件,并在教学中将仿真实验与实体实验相结合,通过三年的教学,取得了很好的教学成果。
- 陈余姜爱峰
- 关键词：教学改革仿真软件设计
- n型DMS材料居里温度的极值点
- 2011年
- 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质材料与掺杂的磁性杂质决定。
- 陈余关玉琴迎春
- 关键词：稀磁半导体
- 稀磁半导体材料居里温度的极值点被引量：3
- 2009年
- 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增。
- 陈余关玉琴赵春旺
- 关键词：稀磁半导体居里温度
- 大跨距桐木桥质荷比探究实验
- 2019年
- 本文通过实验研究了大跨距木质桥梁的质荷比,实验中所有木材均采用桐木条,粘贴剂选用502胶水。桥面主杆和桥斜体杆设计了多种规格的桐木条,通过对制作的桥进行加载测试,得到结论为桥面主杆采用2×4+2×4+2×4结构,桥体斜杆采用3×5结构为最优结构。
- 孙捷李静涵瞿腾肖硕凌薇宇陈余
- P型稀磁半导体材料的居里温度被引量：2
- 2010年
- 稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。
- 关玉琴陈余赵春旺
- 关键词：稀磁半导体居里温度
- 3d过渡金属掺杂GaAs的居里温度研究被引量：2
- 2009年
- 本文用Zener模型对GaAs掺杂3d过渡金属(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度进行理论计算.文中详细介绍了GaAs材料的晶体结构和基本参数;推导了计算居里温度的函数表达式;并计算了不同元素在不同掺杂浓度下的居里温度值,通过计算得到如下结论:3d过渡金属取代Ga位置时,掺杂Cr和Mn时居里温度较高,可以实现室温铁磁性,掺杂其余元素时居里温度很低;3d过渡金属取代As位置时除了掺杂V和Ni居里温度很低以外,其余均可获得室温铁磁性;取代As位置时合成的DMS材料的居里温度普遍高于取代Ga位置时的居里温度.
- 陈余关玉琴
- 关键词：稀磁半导体居里温度
- Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响被引量：4
- 2010年
- 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。
- 关玉琴陈余赵春旺
- 关键词：稀磁半导体材料居里温度共掺杂
