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陈宜方

作品数：58 被引量：4H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 5篇机械工程
  • 5篇理学

主题

  • 22篇光刻
  • 17篇电子束光刻
  • 14篇纳米
  • 12篇刻蚀
  • 10篇波带片
  • 9篇反应离子
  • 8篇半导体
  • 7篇电子束曝光
  • 7篇形貌
  • 7篇旋涂
  • 7篇离子刻蚀
  • 7篇光刻胶
  • 7篇反应离子刻蚀
  • 7篇高宽比
  • 6篇纳米压印
  • 6篇绝缘层
  • 6篇绝缘层上硅
  • 6篇掺杂
  • 5篇深反应离子刻...
  • 5篇透镜

机构

  • 58篇复旦大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 58篇陈宜方
  • 37篇陆冰睿
  • 11篇万景
  • 7篇徐晨
  • 7篇刘建朋
  • 7篇张思超
  • 6篇刘冉
  • 5篇屈新萍
  • 4篇李欣
  • 3篇疏珍
  • 3篇谢申奇
  • 3篇李俊洁
  • 2篇邓少任
  • 2篇高晨
  • 2篇谢珊珊
  • 2篇马亚琪
  • 1篇邓彪
  • 1篇肖体乔
  • 1篇周磊
  • 1篇邹佳霖

传媒

  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 15篇2015
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2008
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法
本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法。本发明制备方法采用角向蒸发自对准工艺，基本内容包括：基于T型栅生长工艺，利用高电子迁移率晶体管栅极独特的T型结构，通过角向蒸发的方式精确控制高...
陈宜方祝鸣赛
一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备
本发明属于纳米光刻技术领域，具体为一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备。本发明将近场光刻和纳米反压印相结合，其步骤包括：在已制作好光刻掩模图形的石英衬底上旋涂紫外光刻胶，使用平行紫外光从掩模板背面曝光后显影，完成对...
陆冰睿陈宜方刘冉
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一种非损伤石墨烯纳米器件的制作方法
本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100-300nm氮化硅隔膜上旋涂300-600nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100-2...
陈宜方李俊洁刘建朋陆冰睿邵金海
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实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法
本发明属于光栅技术领域，具体为一种实现超高消光比系数的金光栅及其制备方法。本发明方法包括：在双抛硅衬底上生长铬/金电镀种子层；在硅衬底上旋涂厚度1‑1.8微米的PMMA正性光刻胶；利用Tracer软件中的蒙地卡罗模型计算...
陈宜方杨宗耀朱静远
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用于同步辐射软X射线聚焦成像的Kinoform介质透镜及其制备方法
本发明属于电子束光刻技术领域，具体为用于同步辐射软X射线聚焦成像的Kinoform介质透镜及其制备方法。本发明的Kinoform介质透镜结构包括硅基底、薄膜窗口、具有斜面形貌的二维或者三维的介质材料Kinoform透镜；...
陈宜方童徐杰韦璐
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一种自支撑微米厚度硅隔膜的制备方法
本发明属于微纳光学元件技术领域，具体为一种自支撑微米厚度硅隔膜的制备方法。本发明包括：在双面抛光的SiN<Sub>x</Sub>/Si片上双面旋涂光刻胶，利用光刻掩膜版和紫外曝光在正面光刻胶上形成方形窗口阵列作为氮化硅薄...
陈宜方李艺杰
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一种复制纳米压印模板的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印用模板的方法。本发明采用三层结构压印板的压印方法，压印板上层为SU8胶，经过压印之后SU8可以作为刻蚀掩模对中间层进行选择性刻蚀，中间层采用的是一种对下层具有很强刻蚀选择...
万景屈新萍谢申奇陆冰睿疏珍刘冉陈宜方
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一种使用PMMA/NEB双层胶制作金属纳米狭缝的方法
本发明属于半导体纳米工艺技术领域，具体为一种使用双层胶制作金属纳米狭缝的方法。其步骤包括：在半导体衬底上旋涂上PMMA正胶光刻胶，再旋涂上NEB负胶光刻胶，接着光刻出线条，对NEB光刻胶显影成像，定义出狭缝的位置，然后进...
陈宜方邹佳霖邵金海陆冰睿
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高分辨率硬X射线钨/金菲涅尔波带片及其制备方法
本发明属于X射线成像技术领域，具体为一种高分辨率硬X射线钨/金菲涅尔波带片及其制备方法。本发明步骤包括：在氮化硅衬底上生长铬/金电镀种子层；在电镀种子层上生长金属钨；在衬底上旋涂PMMA正性光刻胶，烘烤固化；利用电子束光...
陈宜方朱静远
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一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，...
高晨屈新萍邓少任万景刘冉陈宜方
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