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陈昌华

作品数：14 被引量：21H指数：3
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 8篇半导体
  • 6篇激光
  • 5篇半导体激光
  • 4篇量子效率
  • 4篇激光器
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇信号灯
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇应变量子阱激...
  • 2篇折射率
  • 2篇设计方法
  • 2篇隧道二极管
  • 2篇隧道结
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇交通信号
  • 2篇交通信号灯
  • 2篇光腔
  • 2篇横模

机构

  • 9篇北京工业大学
  • 8篇中国科学院
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 14篇陈昌华
  • 11篇陈良惠
  • 8篇沈光地
  • 6篇高国
  • 6篇邹德恕
  • 5篇徐俊英
  • 4篇廉鹏
  • 4篇杜金玉
  • 4篇陈建新
  • 4篇王启明
  • 3篇殷涛
  • 3篇徐遵图
  • 2篇韩金茹
  • 2篇周静
  • 2篇马骁宇
  • 2篇张敬明
  • 2篇王学忠
  • 2篇王启明
  • 2篇郭伟玲
  • 2篇杨国文

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇光学学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1996
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P<Sup>+...
沈光地高国陈昌华郭伟玲陈良惠马骁宇杜金玉周静邹德恕陈建新王学忠董欣
文献传递
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器被引量：1
2000年
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性以及 C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以 C为 P型掺杂剂的 Ga As/ Al Ga As/ In Ga As应变量子阱半导体激光器结构 ,置备了高性能 980 nm大功率半导体激光器。
廉鹏邹德恕高国殷涛陈昌华徐遵图沈光地马晓宇陈良惠
关键词：MOCVD半导体激光器气相外延
MOPA器件的理论研究与可视化设计和模拟
半导体主振功放(MOPA)是一种新型单模大功率光源,在广泛的应用前景.该文围绕MOPA进行了一些理论研究和计算机辅助设计与模拟的探讨,取得了一些有意义的结果.提出了复打靶法以求复折射率波导本征值.利用复打靶法,研究了缓变...
陈昌华
关键词：计算机模拟耦合波方程
高效大功率大光腔半导体激光器
一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P<Sup>+</Sup>－N<Sup>+</Sup>隧道二极管所构成的多级耦合整体大光...
沈光地殷涛廉鹏陈建新邹德恕高国陈良惠王启明杜金玉韩金茹陈昌华
文献传递
高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P<Sup>+...
沈光地高国陈昌华郭伟玲陈良惠马骁宇杜金玉周静邹德恕陈建新王学忠董欣
文献传递
多横模复折射率波导的数值求解被引量：4
2001年
对多横模复折射率波导 ,提出了一个将实折射率数值法、微扰法和打靶法有机结合起来的RPS法 ,该方法简单实用 ,求解速度快 ,精度高 ,无须在整个复平面上寻找导波模式的复传播常数。通过五层平板波导计算表明 。
李建军陈昌华廉鹏高国邹德恕沈光地
关键词：波导复折射率
缓变波导对半导体光放大器TE_0和TM_0模式增益差的影响被引量：1
1998年
通过直接数值求解波导方程，研究了缓变波导对半导体光放大器模式增益差的影响．结果表明：缓变波导增大了光放大器的模式增益差，而通过引入非平面波导。
陈昌华徐俊英陈良惠王启明
关键词：半导体光放大器增益
高效大功率大光腔半导体激光器
一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极...
沈光地殷涛廉鹏陈建新邹德恕高国陈良惠王启明杜金玉韩金茹陈昌华
文献传递
低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器被引量：4
1997年
利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％．
徐遵图徐俊英杨国文张敬明陈昌华何晓曦陈良惠沈光地
关键词：量子阱激光器分子束外延
半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应被引量：2
1996年
本文考虑了ＡＳＥ效应和端面反射率的影响，建立了锥形激光功率放大器的Ｒｉｇｒｏｄ模型并引进了新的迭代方法，讨论了ＡＳＥ效应和端面反射率对放大器增益Ｇ及信噪比Ｓ／Ｎ的影响．
陈昌华陈良惠王启明
关键词：半导体
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