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韦刚

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院等离子体物理研究所更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子体引发
  • 1篇碳化硅
  • 1篇离子
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米碳
  • 1篇纳米碳化硅
  • 1篇接枝
  • 1篇接枝聚合
  • 1篇聚甲基丙烯酸
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  • 1篇甲基
  • 1篇甲基丙烯
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  • 1篇放电
  • 1篇高频放电
  • 1篇表面接枝
  • 1篇表面接枝聚合
  • 1篇丙烯
  • 1篇丙烯酸

机构

  • 1篇中国科学院等...
  • 1篇中国科学院光...

作者

  • 1篇孟月东
  • 1篇舒兴胜
  • 1篇钟少锋
  • 1篇韦刚

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
高频放电等离子体引发碳化硅表面接枝聚合甲基丙烯酸甲酯被引量:1
2009年
高频放电氮气等离子体表面处理纳米碳化硅粉体,进而在碳化硅表面上引发甲基丙烯酸甲酯单体接枝聚合,在纳米碳化硅表面形成一层保护膜.红外(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)以及热失重分析(TGA)测试表明该聚合膜是通过化学键连接在碳化硅表面的,X射线衍射光谱(XRD)表明经等离子体处理改性的碳化硅粉体只是其表面性质发生了改变,其晶体结构并没有发生任何变化.
韦刚钟少锋孟月东舒兴胜
关键词:接枝聚合纳米碳化硅聚甲基丙烯酸甲酯
共1页<1>
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