颜其礼
- 作品数：12 被引量：50H指数：3
- 供职机构：四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：四川省教育厅重点项目中国工程物理研究院科学技术发展基金四川省重点科学建设项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 高校教学单位综合MIS及软件开发被引量：1
- 1997年
- 从高校基层教学单位的管理现状出发．结合当前办公自动化的基本要求和发展趋势，设计了一种实际可行的综合管理信息系统模式与软件结构模式，初步探讨了实现开发该软件的功能与基本要求．
- 杨春颜其礼钟吉生
- 关键词：管理信息系统子系统软件开发
- α-Al_2O_3(0001)表面原子缺陷对ZnO吸附影响被引量：9
- 2005年
- 采用基于密度泛函理论的分子动力学方法 ,对α Al2 O3(0 0 0 1)表面Al,O原子空位缺陷及其对ZnO吸附进行了理论计算 .电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化 ,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域 ,悬挂键临近O的电子密度增大 ,有利于对Zn的吸附 ;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子 ,其ELF值为 0 0 5— 0 3,将有利于同电负性较大的O或O2 - 结合 .通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现 ,表面缺陷显著增强了表面的化学吸附 ,空缺原子处都被吸附原子填补 ,吸附结合能远大于单晶表面的情况 .在Al空缺的表面 ,由于ZnO的O与表面O形成双键 ,破坏了α Al2 O3(0 0 0 1)表面O六角对称结构 ,减小了O的表面扩散 ,从而不利于规则的ZnO薄膜生长 .相反 ,O的空缺表面 ,弥补了α Al2 O3(0 0 0 1)表面O空位缺陷 ,不影响基片表面O六角对称结构 .
- 杨春李言荣颜其礼刘永华
- 关键词：密度泛函分子动力学氧化锌薄膜生长
- 第一性原理研究ZnS掺V的光学性质和电子结构被引量：28
- 2006年
- 运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对替代式掺杂钒(V)的闪锌矿(ZnS)的超晶胞电子结构进行了计算。研究了ZnS掺杂的光学性质及其电子结构,通过分析发现,光吸收的计算结果与运用配位场理论得到的计算结果以及实验数据符合较好;同时还对引入杂质前后电子结构的异同以及价键的一些性质进行了对比分析:因为杂质V的引入,态密度出现了几个新的峰,并且本体能带向低能方向偏移了大约2.5 eV,V所带正电荷为0.28,比任何一类Zn原子都要小,S—V键的共价性最强、键长最短。
- 何开华余飞姬广富颜其礼郑澍奎
- 关键词：超晶胞光学性质
- LiNbO3:Fe3+晶体中Fe3+离子的电调制光谱
- 近十几年来电吸收谱方法被广泛用于半导体超晶格、量子阱、量子点等微结构的电子态研究中,并以其高灵敏和
- 颜其礼王引书孙平黄平王若桢
- 文献传递
- 玻璃中CdSSe量子点的制备及尺寸研究被引量：2
- 2002年
- 用两步退火法在玻璃基体中制备了CdSSe半导体量子点 ,并测量了它的室温吸收光谱 .根据吸收谱的基态能与量子点尺寸的关系 ,用有效质量近似模型计算了量子点的平均尺寸 ,其结果与透射电镜观测值较好符合 .
- 黄平颜其礼
- 关键词：量子点尺寸
- CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体共振电光效应(英文)
- 2000年
- 采用电吸收谱 (EA)的方法研究了在电场作用下 ,Cd S0 .1Se0 .9纳米晶体光学性质的变化 .分析了电场效应的物理机制 ,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动 .第一激发态对外加电场敏感 ,而其它激发态不敏感 .从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比 ,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应 ,具有三阶非线性极化率 χ( 3) .
- 孙平王引书王若桢林永昌颜其礼黄平
- 关键词：纳米晶体电吸收电光效应
- CdSSe半导体纳米晶体的实验研究被引量：1
- 2005年
- 用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25～2.58 nm之间.
- 黄平颜其礼
- 关键词：半导体纳米晶体退火
- 高压偏振·低温吸收光谱仪及实验研究
- 1995年
- 本文介绍了＂高压偏振低温吸收光谱仪＂的性能、特点、技术指标及实验研究情况．用该谱仪对各种不同样品的测试看出：可以很好地分辨出掺钕ＹＡＧ晶体相邻的几个窄峰（如７３５１Ａ和７３６３Ａ双峰）；红宝石的双峰（６９３０Ａ和６９４３Ａ）也能很好分辨出来；铌酸锂晶体在⊥Ｃ轴方向和∥Ｃ轴方向的偏振谱也能得到很好的区分．实验表明，该谱仪既可以对各种固体样品进行高压低温的实验研究，也可用于固体物理的实验教学。
- 颜其礼杨振国马忠纬贾维仪王彦云
- 关键词：吸收光谱仪固体物理
- 多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制被引量：1
- 1995年
- 以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。
- 董会宁颜其礼陈卫东潘飞躁李鹏
- 关键词：多晶硅半导体退火
- 无磁性HCP相铁在高压下的弹性性质计算被引量：3
- 2005年
- 采用量子力学第一性原理出发的平面波赝势(PWP)方法,电子交换关联能采用广义梯度近似(GGA),在不引入实验参量的条件下,通过对无磁性HCP(广角密堆积)相的铁的总能进行从头计算,得到了无磁性HCP相铁的状态方程、不同压力下(0～500GPa)体系在平衡态时晶格常数c与a的比值以及不同压力下弹性系数、体变模量和声速的值,与实验符合较好,优于其它从头计算法得到的结果.说明了PWP加GGA方法在对无磁性HCP相铁作计算时的有效性.
- 余飞颜其礼姬广富何开华
- 关键词：声速
