马军
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：西安电瓷研究所更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术更多>>
- 掺杂氧化钇的ZnO非线性电阻片电性能和微观结构特征
- 本文研究了含不同氧化钇量ZnO 压敏电阻片的电位梯度,方波容量,和U5kA/U1mA 压比等电气性能.随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加(最高达到367v/mm),当氧化钇的含量为0.3-0.7mol％时,压比,方波...
- 马军王玉平
- 关键词：ZNO压敏电阻片电位梯度电气性能氧化钇非线性电阻片
- 文献传递
- 掺杂Y_2O_3对ZnO-Bi_2O_3系压敏电阻片性能的影响被引量：3
- 2007年
- 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%(摩尔分数)Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
- 王玉平马军
- 关键词：ZNO压敏电阻片电位梯度烧成温度
- 掺杂Y2O3的ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻
- 掺杂Y2O3使ZnO-Bi2O3-Sb2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能得以大幅度提高。本文研究了掺杂0～1.7mol%Y2O3对压敏电阻片的影响。当0.68mol%掺杂量，在1140℃下烧成获得293～...
- 王玉平马军
- 关键词：电位梯度
- 烧结温度对ZnO-Bi2O3系压敏电阻掺杂Y2O3的影响
- 在本文中,研究了不同烧成温度对掺杂0～1.7mol％Y2O3的ZnO-Bi2O3压敏电阻片的电气性能影响.在1140℃下烧成0.68mol％掺杂量的试样获得高性能电阻片具有300V/mm 的电位梯度和370 J/cm3 ...
- 王玉平马军
- 关键词：氧化锌压敏电阻氧化钇电位梯度烧成温度
- 文献传递
- 掺杂氧化钇氧化镍对氧化锌电阻片特性的影响被引量：11
- 2005年
- 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
- 王玉平马军
- 关键词：ZNO压敏电阻片电位梯度
- 掺杂氧化钇的ZnO电阻片电性能和微观结构特征被引量：6
- 2006年
- 研究了掺杂氧化钇对D5ZnO电阻片的电位梯度、方波容量和压比(U5kA/U1mA)的影响,结果表明,随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加,最高达到367V/mm。当氧化钇含量在0.3%～0.7%时,压比和方波容量性能最好,分别为1.65和246J/cm3。从微观分析结果,可以看出,上述电性能特征在微观层次上的产生根源是含钇晶间相的总量和分布的变化。通过能谱分析和X射线衍射分析,确定了含钇晶间相的成分范围:Y为10%～50%;Bi、Sb都为15%～25%,主晶相化学组成为Y1.5Sb0.5O3.5。
- 马军王玉平
- 关键词：ZNO电阻片电性能微观结构
