马淑芳
- 作品数：79 被引量：126H指数：5
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>
- 界面性质与光电器件特性关系调控技术及应用
- 许并社贾虎生王华梁建马淑芳刘旭光李天保曹银花伍永安
- 高功率半导体激光二极管（LD)和大功率白光发光二极管（LED)关键材料及其器件制备核心技术，因涉及前沿技术和军工技术，其知识产权乃至产品几乎被美、日、欧所垄断或封锁。该项目旨在建立具有较完整自主知识产权的LD、LED外延...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光二极管白光发光二极管荧光粉
- 微米阵列LED制备方法
- 一种微米阵列LED制备方法，包括：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2：将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3：利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先...
- 许并社韩丹马淑芳刘培植贾伟王美玲柳建杰
- 文献传递
- TiO2纳米棒的制备与结构表征
- 马淑芳梁建孙彩云许并社
- 文献传递
- 一种基于3D打印的AlGaInP反极性发光二极管制备方法
- 本发明涉及半导体光电子器件与3D打印领域，具体为一种基于3D打印的AlGaInP反极性发光二极管制备方法。该方法所制备的芯片结构中n面主电极、ITO电流扩展层、n面接触电极、介质膜层、金属反射镜、金属键合层、p面电极采用...
- 许并社贾志刚马淑芳梁建董海亮
- 文献传递
- 一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构
- 本发明涉及一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构，本发明公开了一种具有特殊结构的半导体激光器的制备方法。该结构从下到上依次包括：GaAs衬底；GaAs缓冲层；AIGaAs下限制层；AIGaAs下波导层；有源层；AIG...
- 马淑芳许并社李学敏韩蕊蕊田海军吴小强
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- CdSe薄膜的制备及性能表征被引量：18
- 2011年
- 室温下,以CdSO4、H2SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理。
- 黄平李婧梁建赵君芙马淑芳许并社
- 关键词：电化学沉积CDSE薄膜禁带宽度沉积电压
- 微波辅助溶剂热法制备星形结构PbS
- 本研究采用微波辅助溶剂热法，以乙酸铅和硫脲分别为铅源和硫源，用二甲基亚砜作溶剂，在保持加热功率不变的情况下，通过改变表面活性剂CTAB的加入量和加热反应时间，制备出星形结构PbS。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射电子扫...
- 危兆玲李天保赵君芙梁建马淑芳许并社
- 关键词：硫化铅半导体材料
- InAs纳米颗粒的制备及性能表征被引量：2
- 2010年
- 以InCl3.4H2O、KBH4、As2O3和三乙醇胺为原料,采用溶剂热-退火法制备出了InAs纳米颗粒。用XRD、TEM和拉曼光谱仪对产物的微观结构进行表征。研究了反应物的配比和退火温度对产物的物相和形貌的影响,得到制备InAs纳米颗粒的最佳工艺参数为:反应物As2O3、InCl3.4H2O的物质的量配比为1:1,反应与退火温度分别为160℃和500℃。并对产物的形成过程进行了初步探讨。
- 梁建王玉赵君芙马淑芳
- 关键词：三乙醇胺
- ZnO纳米线/片阵列的分级生长与表征
- 以氧化锌和碳粉为原料,利用高温碳热还原反应法制备出了ZnO晶体。采用场发射扫描电镜、X射线衍射分析仪、拉曼光谱等手段对产物进行了表征。结果表明产物为自组装纳米结构的纳米线、纳米片阵列,它们的结构都是单一的六角晶系纤锌矿Z...
- 梁建马淑芳翟雷应许并社
- 关键词：ZNO纳米线纳米片
- 一种制取多孔氧化铝膜的强烈阳极氧化法
- 本发明涉及一种制取多孔阳极氧化铝膜的强烈阳极氧化法，它是以铝片做阳极、铂片做阴极、氩气做保护气体，以高氯酸、无水乙醇的混合溶液做铝片的电化学抛光剂，以草酸、无水乙醇、去离子水的混合溶液做电解液，以磷酸、铬酸、去离子水的混...
- 许并社黄平梁建刘光焕杨冬刘旭光马淑芳
- 文献传递
