高建峰
- 作品数：45 被引量：63H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- GaAs高温栅全离子注入平面工艺及GaAs数字二分频器被引量：1
- 1992年
- 介绍了一种适用于砷化镓数字电路的Bp—SAG工艺。在该工艺基础上研制的GaAs数字二分频电路,最大工作频率达到2.25GHz,等效门延迟为92ps。
- 高建峰王茂森谢中华赵新建李拂晓
- 关键词：分频器
- 高成品率手机用砷化镓单片开关
- 采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关(以下简称单片开关)。该单片开关面积1310×1250μm,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I小于0.52dB...
- 李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬
- 关键词：砷化镓单片开关
- 文献传递
- 硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善
- 2014年
- 利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。
- 韩克锋黄念宁章军云刘世郑高建峰
- 关键词：表面态击穿电压脉冲比
- S波段PHEMT单片低噪声放大器
- 2001年
- 采用 PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S波段低噪声放大器。利用 HPIC- CAP软件系统提取 PHEMT管芯的 EEHEMT1模型参数 ,并结合 HP- EEsof Series IV软件的优化设计 ,及 Cadence L ayout版图设计 ,最终在 76 mm的 MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下 。
- 岑元飞陈效建王军贤高建峰林金庭
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器S波段单片集成电路
- In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
- 2001年
- 提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。
- 徐红钢陈效建高建峰郝西萍
- 用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制被引量：2
- 2002年
- 报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
- 蒋幼泉陈继义李拂晓高建峰徐中仓邵凯陈效建杨乃彬
- 关键词：手机双刀双掷开关
- W波段GaN单片功率放大器研制被引量：11
- 2016年
- 报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的'T'型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该器件设计了三级放大电路,在75~110GHz频段内最大小信号增益为21dB。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117W,PAE为13%,功率增益为11dB,输出功率密度为2.33 W/mm。
- 吴少兵高建峰王维波章军云
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管W波段电子束直写功率放大器
- InP基共振遂穿二极管研究
- 在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器...
- 韩春林薛舫时高建峰陈辰
- 关键词：空气桥MATLAB电子束光刻分子束外延
- 文献传递
- 90GHz输出功率为1.1W的W波段GaN单片研制
- 2016年
- 南京电子器件研究所成功制备了一种W波段的GaN三级放大电路。采用电子束直写工艺制备了栅长为100 nm的AlGaN/GaN T型栅,其结构见图1。直流测试最大电流密度为1.3 A/mm,最大跨导为430 mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90 GHz及210 GHz（如图2所示）。采用该工艺制备的三级放大电路在75-110 GHz进行测试,其最大小信号增益为21 dB（如图3所示）。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117 W（如图4所示）,功率附加效率为13%,功率增益为11dB。
- 吴少兵王维波高建峰
- 关键词：功率附加效率ALGAN输出功率小信号增益跨导
- 8mm高电子迁移率功率晶体管芯片
- 1999年
- 南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件，具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能，采用ＣＡＤ技术，对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础...
- 陈新宇高建峰王军贤郑雪帆陈效建
- 关键词：功率晶体管芯片电子迁移率
- 全文增补中
