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麻芃

作品数：40 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 19篇石墨
  • 19篇石墨烯
  • 12篇载流子
  • 11篇金属
  • 10篇碳基
  • 10篇场效应
  • 9篇载流子迁移率
  • 9篇迁移率
  • 9篇晶体管
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇电极
  • 7篇半导体
  • 6篇铜表面
  • 6篇衬底
  • 5篇电阻
  • 5篇探测器
  • 5篇自对准
  • 5篇半导体器件
  • 4篇导电薄膜
  • 4篇紫外探测

机构

  • 40篇中国科学院微...

作者

  • 40篇麻芃
  • 33篇金智
  • 24篇张大勇
  • 24篇史敬元
  • 17篇彭松昂
  • 9篇陈娇
  • 9篇王显泰
  • 8篇郭建楠
  • 7篇刘键
  • 7篇白云
  • 7篇王选芸
  • 7篇朱杰
  • 6篇刘新宇
  • 4篇饶志鹏
  • 3篇潘洪亮
  • 3篇王少青
  • 2篇苏永波
  • 2篇郭丽伟

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇红外技术
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 10篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
共 40 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法
本发明公开了一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂在衬底表面形成硅烷有机膜层，利用硅烷有机膜层不同基团、不同强度的亲核与疏核特性，对附着在硅烷有机膜层表面的碳基薄膜材料进行表面吸附式掺杂...
史敬元金智张大勇麻芃彭松昂
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一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域，该石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘层上，导电沟...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、Al<Sub>0.65</Sub>Ga<Sub>0.35</...
白云刘键麻芃朱杰饶志鹏刘新宇郭丽伟
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一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法
本发明公开了一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯...
麻芃金智史敬元张大勇彭松昂陈娇
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紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制被引量：4
2011年
描述了基于DSP芯片和USB接口芯片的成像处理系统的硬件和软件设计,实现了对128×128阵列的氮化镓基紫外日盲焦平面探测器输出信号的采集和处理,在PC端绘制优质景物图像的功能。并利用DSP芯片的高速数字信号处理性能和USB芯片的高速传输性能进行程序设计,对图像信号进行二维滤波提高系统成像质量,使用双缓冲堆提高系统的带宽。成像测试实验证明,成像处理系统可以正常进行信号采集,并在PC端上进行图像绘制,验证了所设计的成像处理系统能够正常工作,达到了设计要求;运用DSP和USB进行图像信号的二维滤波和双缓冲堆设计,成像处理系统的成像质量和系统带宽得到了较大的改善。
朱杰麻芃白云刘键
关键词：焦平面
一种碳基场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种碳基场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域。所述碳基场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，绝缘层设置于半导体衬底上，导电通道设置于绝缘层上，导电通道由碳基材...
金智麻芃郭建楠苏永波王显泰
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一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构
本发明公开了一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。利用本发明，减小了石墨烯与金属接触的电阻，从而有效的增加了石墨烯FET器件的开态电流，提高...
金智陈娇麻芃王显泰彭松昂
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一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法
本发明公开了一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法，该方法是利用硅烷偶联剂有机膜层来钝化和修饰碳基半导体器件衬底表面，具体包括以下步骤:将清洗后的衬底放入烘箱内120℃干燥处理20分钟;配制硅烷偶联剂溶液，利用有机溶...
史敬元金智麻芃张大勇彭松昂
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一种石墨烯导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述方法包括：在金属箔表面利用化学气相沉积方法生长石墨烯；利用电沉积方法在生长有石墨烯的金属箔表面沉积氧化石墨烯；将沉积了氧化石墨烯的金属箔在保护气和...
张大勇金智史敬元麻芃
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一种石墨烯薄膜的衬底转移方法
本发明涉及一种石墨烯薄膜的衬底转移方法，属于半导体薄膜领域。所述衬底转移方法包括将有机胶体旋涂在石墨烯薄膜的表面并烘干坚膜，在有机胶体表面贴附胶带，随后将胶带粘附的基片材料放入腐蚀溶液中腐蚀石墨烯薄膜下的金属催化剂层，待...
金智麻芃郭建楠王显泰
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