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丁书龙

作品数:10 被引量:25H指数:2
供职机构:湘潭大学材料与光电物理学院更多>>
发文基金:湖南省教育厅科研基金国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇ZNO纳米
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米线
  • 2篇发光
  • 2篇半导体
  • 2篇ZNO
  • 1篇导体
  • 1篇阴极射线
  • 1篇阴极射线发光
  • 1篇散射
  • 1篇生长温度
  • 1篇气相生长
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇脉冲激光

机构

  • 10篇湘潭大学

作者

  • 10篇丁书龙
  • 7篇郭建
  • 5篇林铁军
  • 4篇董敬桃
  • 4篇李新宇
  • 2篇颜晓红
  • 2篇宣凯
  • 1篇欧阳钢
  • 1篇王金斌
  • 1篇钟向丽
  • 1篇闫海龙
  • 1篇周功程
  • 1篇王秀锋
  • 1篇彭江强
  • 1篇谭绪卫
  • 1篇李文
  • 1篇黄贵军
  • 1篇吴彩文
  • 1篇徐桥

传媒

  • 4篇湘潭大学自然...
  • 3篇材料导报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2003
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO表面光伏行为的Kelvin探针表征被引量:1
2009年
利用Kelvin探针通过测量电子功函数来表征半导体表面光伏行为及其能级结构特性.首先由Kelvin探针测量原理建立了表征表面光伏行为的理论方法,然后用CVD法在Pt基底上制备了ZnO半导体薄膜,再利用紫外光作为激发光源实现光伏效应,最后应用Kelvin探针表征其光伏行为的演化过程.
吴彩文王秀锋丁书龙李文
关键词:ZNO
球状ZnO纳米线的制备被引量:1
2005年
在氩气氛围下,以氧气为反应气,用VS机制热蒸发锌粉。在硅衬底上成功地制备出了球状的ZnO纳米线,整个过程没有任何催发剂参与:用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射等分别对其形貌、结构及其成份进行了表征;井就影响球状ZnO纳米线的因素进行了分析。
林铁军郭建丁书龙宣凯董敬桃李新宇
氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜被引量:1
2003年
用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .
欧阳钢郭建颜晓红丁书龙
关键词:脉冲激光沉积
CVD法制备的ZnO纳米线喇曼散射谱的特征
2007年
要对纳米ZnO晶体进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼测试与分析,其样品采用化学气相沉积法(CVD),分别在三种不同的温度下生长而成.在438 cm-1和1152 cm-1位置分别可以观测到纤锌矿结构的ZnO一级散射峰和二级散射峰,同时也可以看到一级散射强度与二级散射强度比的变化.结果显示:用CVD法制备纳米ZnO时,温度(即Zn蒸汽的浓度)只影响ZnO纳米线的形貌特征,而并不影响它的微观结构.
董敬桃郭建丁书龙林铁军李新宇
关键词:ZNO纳米线喇曼散射气相沉积法
定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究被引量:1
2005年
用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理。
丁书龙郭建颜晓红宣凯林铁军
关键词:半导体材料气相生长化学气相沉积ZNO
ZnO微纳米球的生长机制被引量:13
2006年
ZnO micro-nano spheres covered with ZnO nanowires were synthesized at 650 ℃ without using cataly-sts. Characterizations of the products by TEM, SEM, XRD, SAED and EDS showed that the ZnO nanowires were of high purity and single-crystalline with hexagonal wurtzite structure. The diameter of ZnO nanowires ranges from 60 to 200 nm and the length is longer than 10 μm. The size of the ZnO micro-nano spheres ranges from hundreds of nanometers to tens of microns. At the same time, the growth mechanism of ZnO micro-nano spheres is discussed.
林铁军郭建丁书龙李新宇董敬桃
ZnO一维纳米材料的制备
一维纳米材料因其优异的光学、电学、化学、力学性能以及在纳米装置、功能材料的独特应用而成为当今纳米材料科学领域的前沿和热点;同时一维纳米材料的制备为纳米科学技术的发展奠定了基础。本文研究用化学气相沉积方法制备出氧化锌/(Z...
丁书龙
关键词:纳米材料纳米线化学气相沉积
文献传递
ZnO纳米带梳的制备及生长机理的研究被引量:2
2006年
采用化学气相沉积(CVD)法成功制备出ZnO纳米带梳,实验过程不需要催化剂。X射线衍射仪(XRD)分析结果表明,ZnO纳米带梳为高度结晶的六方纤锌矿结构;利用扫描电子显微镜(SEM)观测,所制样品是由纳米带组成梳状形貌,纳米带梳的形成经过两个步骤:先通过VS机制形成微米带,而梳的齿通过自催化生长平行于(0001)极性面形成。对样品的光致荧光(PL)谱测量发现了位于-395nm和495nm处的室温光致发光峰。
李新宇郭建丁书龙林铁军董敬桃
关键词:光致发光
Mg掺杂ZnO微纳米棒与球的制备及生长机制
2011年
采用化学气相沉积法(CVD)在导电玻璃衬底上制备了Mg掺杂的ZnO微纳米棒、微纳米球,实验过程不需要催化剂.X射线衍射仪(XRD)分析结果表明制备的Mg掺杂ZnO微纳米棒仍具有六方铅锌矿结构.利用扫描电子显微镜(SEM)观测,750℃恒温、载入氩气流速为100 mL/min的样品,有微纳米棒、微纳米球的生成.能谱图(EDS)和光致发光谱测试表明微纳米棒中有Mg的掺入.
郭建谭绪卫丁书龙徐桥彭江强
关键词:化学气相沉积法
生长温度对Mn掺杂ZnO纳米棒铁磁性的影响被引量:6
2008年
用化学气相沉积法(CVD),在生长温度为600、650和700℃条件下,未采用任何催化剂制备了Mn掺杂ZnO纳米棒。研究发现,随着生长温度的升高,样品中O空位的浓度逐渐增加。低浓度的O空位可以增强Mn掺杂ZnO纳米棒的铁磁性,但O空位浓度过高时,Mn掺杂ZnO纳米棒表现出超顺磁性或反铁磁性。在3个样品中,650℃的样品具有最好的室温铁磁性,其饱和磁化强度为0.85μB/Mn,矫顽力为50Oe。
闫海龙钟向丽王金斌黄贵军丁书龙周功程
共1页<1>
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