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丁继成

作品数：3 被引量：12H指数：2
供职机构：浙江大学化学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇二氧化硅
  • 1篇淀积
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究
  • 1篇氧化钛
  • 1篇气相淀积
  • 1篇解离
  • 1篇解离吸附
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇激光
  • 1篇激光化学
  • 1篇光化学
  • 1篇二氧化钛
  • 1篇二氧化钛膜
  • 1篇SI(100...
  • 1篇TIO
  • 1篇硅
  • 1篇氧

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇徐铸德
  • 3篇丁继成
  • 2篇陈万喜
  • 1篇杜志强

传媒

  • 2篇Chines...
  • 1篇高等学校化学...

年份

  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
TiO_2膜的激光化学气相淀积被引量：9
1994年
ＴｉＯ＿２膜的激光化学气相淀积丁继成，徐铸德（浙江大学化学系杭州３１００２７）应用化学气相淀积（ＣＶＤ）技术淀积薄膜，已广泛应用于半导体、光学、高熔点材料等方面的研究．使用激光作为化学气相淀积的热源有如下明显的优点ｐ且：（回）空间分辨和控制，既可进行...
丁继成徐铸德
关键词：二氧化钛膜激光化学气相淀积
红外激光诱导SiO_2薄膜生长的氧化动力学研究
1994年
在较低基底温度（室温至～２００℃）下，用１０．６μｍＣＷＣＯ_２激光在硅（１００）表面生成ＳｉＯ_２薄膜，研究了反应气配比（Ｏ_２／Ｎ_２）、基底温度、激光强度、激光辐照时间等实验条件对ＳｉＯ_２薄膜形成的影响，探讨了红外激光助长的硅表面氧化反应动力学过程，认为在薄层氧化区域（＜３０ｎｍ）存在反应诱导期。
徐铸德陈万喜丁继成
关键词：二氧化硅动力学
氧在理想的和重构的Si（100）面吸附研究被引量：3
1995年
本文分别用ＡＳＥＤ—ＭＯ和ＤＶ—Ｘα方法对氧在理想的Ｓｉ（１００）面以及用ＤＶ－Ｘα方法对氧在重构的Ｓｉ（１００）面吸附进行了研究，对不同吸附位的计算结果表明：①氧原子在Ｓｉ（１００）面以（短）桥位吸附最稳定，认为氧在硅表面是解离吸附，且Ｏ与Ｓｉ形成Ｓｉ－Ｓｉ吸附态；②ＤＶ—ｘα方法对表面吸附及催化剂性质的研究具有较好的精确性和适用性；③当氧在硅表面暴露量较少时，其吸附为原子和氧分子共存。
徐铸德丁继成杜志强陈万喜
关键词：硅氧解离吸附二氧化硅
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