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于春蕾

作品数:11 被引量:36H指数:4
供职机构:中国科学院更多>>
发文基金:中国科学院战略性先导科技专项中国科学院重点部署项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇核科学技术
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  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇注入器
  • 5篇ADS
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  • 2篇软件平台
  • 2篇软件平台设计
  • 2篇探测器
  • 2篇红外
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  • 2篇EPICS
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  • 2篇次临界系统
  • 2篇INGAAS
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机构

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作者

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传媒

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年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 6篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究
2023年
系统研究了快速热退火对锌扩散的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器的影响。利用电化学电容电压和二次离子质谱技术分析了退火前后Zn和净受主的浓度分布,结果表明退火过程会影响杂质浓度,但不影响扩散深度。制备了不同退火条件的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN探测器。器件测试反映,未退火的探测器在260~300K具有更低的器件电容和更高的激活能。通过暗电流成分拟合对器件暗电流机制进行分析,未退火器件表现出更低的肖克利-里德-霍尔产生复合电流和扩散电流,因而室温下未退火器件具有更高的峰值探测率。为了制备高性能低掺杂吸收层结构的平面型InGaAs探测器,快速热退火是不必要的工艺。
曹嘉晟李淘于一榛于春蕾于春蕾杨波杨波李雪邵秀梅
关键词:短波红外快速热退火扩散
基于单片机的重离子医用治疗装置数字电源监控系统设计被引量:3
2013年
介绍了一种应用于医用重离子治疗装置(Heavy Ion Medical Machine,HIMM)的数字电源触摸屏控制系统,该设计采用PIC24单片机驱动触摸屏。依照电源系统的内部协议,实现了电源触摸屏控制系统的开关机控制、波形显示、状态显示以及参数设定等多种功能。该系统与电源核心数控板、状态板通讯测试正常稳定,本地操作更加方便、美观,比模拟控制方式稳定可靠,控制精度更高。
于春蕾吴凤军高大庆闫怀海陈又新郭玉辉黄玉珍张华剑
关键词:单片机触摸屏控制系统
非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究被引量:1
2021年
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式,实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As异质结构材料中的P型掺杂,利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究,结果表明,随着扩散温度和时间增加,p-n结结深显著增加,u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料(5×10^(16) cm^(-3))趋于缓变。根据实验结果计算了530℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10^(-12) cm^(2)/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布,结果表明:有效光敏面积显著增大,对实验数据的拟合求出了少子扩散长度LD为63μm,与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm^(2),变温测试得到激活能E_(a)为0.66 eV,通过拟合器件的暗电流成分,得到器件的吸收层少子寿命τ_(p)约为5.11μs,与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。
曹嘉晟李淘王红真于春蕾于春蕾杨波杨波李雪邵秀梅
关键词:ZN扩散结深少子扩散长度INGAAS
ADS注入器II强流质子RFQ加速器控制系统的研究
中国科学院近代物理研究所目前承担了ADS直线注入器II的研制,用于该注入器的四翼型RFQ工作频率是162.5MHz,可将质子束从35keV加速到2.1MeV。由于高频腔一旦失谐,会引起反射功率的增加和功率馈送的效率下降,...
于春蕾
关键词:RFQ冗余PLC
文献传递
加速器驱动次临界系统注入器离子源控制系统被引量:9
2014年
强流质子源及低能传输线是加速器驱动次临界系统(ADS)项目注入器的重要组成部分,为了保证其工作效率设计了一种基于实验物理及工业控制系统(EPICS)架构的远程控制系统。根据被控设备硬件接口的特点及控制需求分别采用可编程控制器(PLC)和串口服务器等作为控制部件,在主控机中使用LabVIEW编程实现了对系统内所有设备的监控,并借助于DSC模块把设备状态和参数等以过程变量的形式进行网络发布。设计的控制系统具有结构简单、工作可靠的特点,已经在系统调试中发挥了重要作用。
姜子运郭玉辉刘海涛武启余泽民马鸿义于春蕾胡建军何源
关键词:加速器驱动次临界系统
ADS注入器Ⅱ超导磁铁电源控制器的设计
2014年
针对加速器驱动次临界系统(ADS)注入器Ⅱ对超导磁铁电源系统的要求,设计了一款主要由光纤模块、数模转换器(DAC)和模数转换器(ADC)相关电路组成的高稳定度的超导磁铁电源控制器。提出了一种基于数字电位器(DCP)与现场可编程门阵列(FPGA)所组成的DAC,该DAC可以实现高稳定度的超导磁铁电源的控制,电源电流值通过该DAC给定,其电压给定输出稳定度优于2×10-5,完全满足超导磁铁电源系统5×10-5量级的稳定度要求。最后给出了系统的实际测试数据,验证了设计的合理性和使用的可靠性。
郑亚伟郭玉辉于春蕾王彦瑜姜子运高郑刘海涛余泽民
关键词:磁铁电源粉红噪声现场可编程门阵列数字电位器
ADS注入器Ⅱ控制系统软件平台设计被引量:10
2014年
加速器驱动的次临界系统(ADS)的强流质子加速器(ADS注入器Ⅱ)主要用于产生连续强流质子束,其控制系统需实现对现场加速器设备的远程参数调节和状态监测。整个控制系统基于分布式控制软件实验物理与工业控制系统(EPICS)架构设计。为实现各子系统软件开发平台之间的数据共享和信息通信,基于EPICS软件架构,采用共享内存、通道访问接口软件、CA Lab等多种方法实现各系统间的数据透明访问,提高了上层控制软件的远程诊断和集成控制能力。结果表明:整个软件平台运行可靠、稳定,完全满足目前注入器Ⅱ的调束和运行要求。
郭玉辉于春蕾徐卫彬罗冰峰姜子运刘海涛
关键词:冗余控制器加速器
基于冗余技术的强流质子RFQ控制系统设计被引量:4
2014年
中国科学院近代物理研究所研制了一台用于ADS注入器Ⅱ的强流质子RFQ加速器。相对于常规功率源,用于RFQ腔体的功率源的控制精度要求更高、过程更复杂。控制系统需通过精确的水温控制实现频率调谐,水温的控制和监测精度要求为0.1℃。同时,为避免腔体因局部温度过高而损毁,控制系统必须实现实时的温度监测和可靠的联锁保护功能。为此,基于EPICS控制架构设计了RFQ控制系统,对关键控制代码的运行平台采用高性能冗余控制器,开发了具有网络冗余功能的IOC驱动程序,实现了水温联锁保护及高频系统控制。RFQ控制系统经现场测试,通信正常、运行稳定,冗余系统的主备切换时间在ms量级,满足RFQ腔体的控制要求。
于春蕾郭玉辉何源郑亚伟刘海涛余泽民姜子运胡建军
关键词:冗余控制系统EPICSRFQ
ADS注入器Ⅱ真空控制系统设计被引量:6
2012年
ADS注入器Ⅱ真空控制系统是基于分布式实时控制软件EPICS架构设计的。采用基于数据流设备的通信驱动模块StreamDevice、CSS和JDBC等技术,实现对现场真空设备的远程网络监控和设备状态历史数据查询。对EPICS设备层控制接口采用IOC驱动模块StreamDevice实现,可满足真空计、离子泵、PLC等加速器装置中常用的串口,及以太网口智能设备的网络监控。整个控制系统实现了对加速器真空设备的远程采集、监测和真空阀门的联锁控制,保证束流的稳定运行。
郭玉辉郑亚伟龙银东于春蕾曾贤强
关键词:真空系统直线加速器
ADS注入器Ⅱ控制系统软件平台设计
加速器驱动的次临界系统(ADS)的强流质子加速器(ADS注入器Ⅱ)主要用于产生连续强流质子束,其控制系统需实现对现场加速器设备的远程参数调节和状态监测.整个控制系统基于分布式控制软件实验物理与工业控制系统(EPICS)架...
郭玉辉于春蕾徐卫彬罗冰峰姜子运刘海涛
关键词:核工程次临界系统软件开发
文献传递
共2页<12>
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