任艳霞
- 作品数：9 被引量：37H指数：4
- 供职机构：济南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划山东省教育厅科技计划更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- SBTi系层状铁电陶瓷材料研究现状被引量：4
- 2006年
- 对一种应用前景较好的铋层状钙钛矿结构铁电陶瓷材料SBTi的研究进展进行了综述,主要对掺杂改性和制备方法方面的工作和成果进行了阐述。
- 张丰庆范素华任艳霞徐静岳雪涛
- 关键词：铁电陶瓷掺杂
- 镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响被引量：21
- 2006年
- 为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系。实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用。但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同。镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm。
- 范素华胡广达张丰庆岳雪涛任艳霞徐静
- 关键词：介电陶瓷钛酸钡溶胶-凝胶法
- 铋层状化合物SrBi_(4-x)Ce_xTi_4O_(15)陶瓷的铁电性能研究被引量：4
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法制备了SrBi4-xCexTi4O15（x=0.2~0.8）铁电陶瓷,X-射线衍射证实随着x掺杂量的增加,晶粒中a、b轴取向的晶粒逐渐增多,与扫描电镜的分析结果一致。介温谱表明样品的居里温度最大为590℃,通过研究铁电性发现,剩余极化和矫顽场先增大后减少,当x=0.6时它们分别达最大值为3.56μC/cm^2和9.38 kV/cm,这是氧空位与晶格畸变共同作用的结果。
- 范素华张丰庆任艳霞徐静张伟岳雪涛
- 关键词：铁电性能晶格畸变
- Na_(2x)Ca_(1-x)Bi_4Ti_4O_(15)介电陶瓷的制备及其介电性能的研究
- 2006年
- 采用固相烧结法制备了Na+1掺杂的CaBi4Ti4O(15CBT)铋系层状钙态矿无铅介电陶瓷。利用XRD、SEM和宽频LCR数字电桥分析了掺杂量、烧结温度等因素对CBT陶瓷晶相、微观形貌及介电性能的影响。研究表明,采用860℃预烧,保温3小时,1150℃终烧,保温1h的烧结工艺,Na2xCa1-xBi4Ti4O15(x=8mol%)的介电陶瓷致密性好、结晶性好,具有良好的介电性能。
- 徐静范素华何波任艳霞张丰庆
- 关键词：固相烧结法介电性能
- Ca_(1-x)Ba_xZr_4(PO_4)_6陶瓷材料体系配比对其抗弯强度的影响被引量：1
- 2005年
- 采用共沉淀法合成了Ca1-xBaxZr4(PO4)6(x=0,025,0.5,0.75,1.0,简称CBZP)陶瓷粉体的前驱物。控制反应过程中溶液的pH值,并用低分子有机溶剂分散处理共沉淀物,防止反应过程中及固液分离过程中团聚体的形成。将先驱物在900℃下煅烧2h后,经XRD分析发现为单相的Ca1-xBaxZr4(PO4)6粉体。将CBZP系列粉体在100MPa下干压成型,添加3%质量分数的ZnO为助烧剂在1100℃下无压烧结2h,制成CBZP系列陶瓷。研究了x取值和抗弯强度值的关系及微观形貌对抗弯强度的影响。所得的烧结体抗弯强度最高值达到84.52MPa(x=0.25)。
- 韩龙侯宪钦范素华任艳霞梁慧
- 关键词：材料学抗弯强度微观形貌
- La掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷电学性能的研究被引量：1
- 2006年
- 用溶胶-凝胶法制备出了SrBi4-xLaxTi4O15陶瓷,其中x=0.00,0.05,0.10,0.20,0.30。利用XRD,SEM,TH2816型宽频LCR数字电桥等手段研究了陶瓷的显微结构及电学性能。研究结果表明:本工艺技术制备的陶瓷具有层状钙钛矿结构;镧元素的掺入有助于材料的择优取向,掺杂样品的电学性能优于未掺杂样品;且掺量对样品的电学性能有很大影响,当x=0.10时,介电常数、压电常数和剩余极化(Pr)分别为:375(常温下、1 kHz)、4.8 pC.N-1和5.6μC.cm-2,都较其他掺杂量样品的高。
- 任艳霞范素华徐静郭桂芬张丰庆
- 关键词：溶胶-凝胶介电常数压电常数
- Nd掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的制备及其电性能被引量：2
- 2007年
- 采用固相烧结法制备了Nd掺杂Bi4-xNdxTi3O12(x=0,0.25,0.5,0.75,1)层状铋系钙态矿无铅介电陶瓷。利用XRD、SEM和宽频LCR数字电桥测试手段研究了Nd掺量、烧结温度和保温时间对Bi4-xNdxTi3O12(BNT)陶瓷晶相、显微结构及介电性能的影响。研究表明,本实验中Nd的最佳质量掺量为0.75,最佳烧结温度为1 050℃,保温时间为4 h,BNT陶瓷具有良好的介电性能。
- 范素华徐静张丰庆郭桂芬任艳霞
- 关键词：固相烧结法介电性能
- 溶胶-凝胶法制备掺杂钛酸锶铋基铁电薄膜及陶瓷的研究
- 由于铋系层状结构材料具有良好的抗疲劳性能而成为目前铁电存储器应用研究的主要材料之一，这类材料研究最多的是SrBi2Ta2O9、Bi4-xLaxTi3O12。作为典型的铋系层状结构材料之一的SrBi4Ti4O15由于其优良...
- 任艳霞
- 关键词：掺杂改性铁电陶瓷铁电薄膜退火温度溶胶-凝胶法
- 文献传递
- 直接共沉淀法制备CaZr_4(PO_4)_6粉体被引量：4
- 2006年
- 以硝酸钙、氯氧化锆、磷酸二氢铵为原料,用直接共沉淀法制备了CaZr4(PO4)6(简称CZP)粉末。控制反应过程中溶液的pH,并用低分子有机溶剂分散处理共沉淀物,防止反应过程及固液分离过程中团聚体的形成。用TG-DTA、XRD、SEM、激光粒度分析仪对CZP粉末进行了表征。CZP粉末的结晶状况和颗粒大小及团聚情况取决于热处理温度的高低,粉体中添加3%(质量分数)氧化锌作为助烧剂及3%(质量分数)二氧化硅作为晶粒抑制剂,在1 150℃下烧结2 h制成CZP陶瓷。结果表明:经860℃热处理之后的粉体制成的CZP陶瓷具有较好的综合性能,弯曲强度为74.96 MPa,相对密度为96.6%。
- 韩龙侯宪钦范素华梁慧任艳霞
- 关键词：综合性能
