刘和初
- 作品数：12 被引量：40H指数：5
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- 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
- 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面制备欧姆电极。...
- 江风益方文卿王立莫春兰刘和初周毛兴
- 文献传递
- 硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能被引量：2
- 2006年
- 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小.
- 熊传兵江风益方文卿王立刘和初莫春兰
- 关键词：GANLEDSI
- Si衬底上生长GaN基蓝光LED
- 利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1m...
- 莫春兰方文卿刘和初周毛兴江风益
- 关键词：发光二极管氮化镓硅衬底
- 文献传递
- δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究被引量：5
- 2006年
- 用X射线衍射方法通过不同晶面的ω扫描测试,分析了Si衬底GaN蓝光LED外延膜中n-型层δ掺杂Si处理对外延膜结晶性能的影响。报道了Si衬底GaN外延膜系列晶面的半峰全宽(FWHM)值。通过使用晶格旋转(Lattice-rotation)模型拟合,计算出样品的螺位错密度和刃位错密度。结果表明,δ掺杂Si处理后生长出的样品螺位错密度增大、刃位错密度减小,总位错密度有所减小。通过对未经δ掺杂处理和δ掺杂处理的GaN外延膜相应ω-2θ扫描半峰全宽值的比较,发现δ掺杂Si处理后生长出的样品非均匀应变较大;相应样品的LED电致发光光谱I、-V特性曲线显示δ掺杂后样品性能变好。
- 程海英方文卿莫春兰刘和初王立江风益
- 关键词：薄膜光学GANSI衬底Δ掺杂
- 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
- 本发明提供一种具有上下电极结构的铟镓铝氮(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>Al<Sub>1－x－y </Sub>N，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)发光器件及其制造方法。该发光器件包括导电衬底，特...
- 江风益王立熊传兵方文卿刘和初周毛兴
- 文献传递
- Si衬底GaN基LED理想因子的研究被引量：9
- 2006年
- 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。
- 刘卫华李有群方文卿周毛兴刘和初莫春兰王立江风益
- 关键词：SI衬底GANLED
- 具有内陷电极的半导体发光元件
- 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导...
- 江风益王立方文卿周毛兴刘和初
- 文献传递
- 硅衬底GaN基LED的研究进展被引量：9
- 2005年
- 与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注。本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展,同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED。
- 莫春兰方文卿王立刘和初周毛兴江风益
- 关键词：发光二极管GANSI衬底
- GaN外延片中载流子浓度的纵向分布被引量：1
- 2004年
- 采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅在GaN外延片中的扩散宽度。该结果可为GaN外延层结构设计提供参考。
- 方文卿李述体刘和初江风益
- 关键词：氮化镓
- Si衬底GaN基LED的结温特性被引量：9
- 2006年
- 结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。
- 刘卫华李有群方文卿莫春兰周毛兴刘和初熊传兵江风益
- 关键词：SI衬底GAN发光二极管结温
