刘静
- 作品数：39 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学电子电信机械工程更多>>
- 一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法
- 本发明公开了一种LIGA技术的埋丝光刻胶片及其制备方法，其步骤包括：1)选取两片PMMA光刻胶片和一有机丝；2)将该有机丝放在两片PMMA光刻胶片之间；3)将两所述PMMA光刻胶片相对的两面融合在一起包裹该有机丝，得到埋...
- 伊福廷刘静张天冲王波
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- 一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
- 本发明公开了一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，包括：采用光刻技术在硅衬底表面获得具有特定图样的掩模；利用该掩模，采用硅刻蚀技术在硅衬底表面刻蚀出具有特定形貌的表面，并去除掩模；采用光刻胶涂覆工艺在硅衬底表面涂覆一层光刻胶...
- 张天冲伊福廷王波刘静张新帅
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- 单一取向Cu_2O纳米棒的一种工业制备技术
- 2014年
- 作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能。然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用。为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为Cu2O及类似材料的纳米棒薄膜的大规模工业化生产找到了一种低成本的制备技术。
- 原宏宇苑梦尧刘静伊福廷吴忠华王焕华张杰
- 关键词：CU2O热蒸发纳米棒
- 一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法
- 本发明公开了一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法，其步骤包括：1)在硅片表面制备硅金字塔结构，然后在所述硅金字塔表面上制备硫化镉种子层；其中，硅金字塔结构用于增加硅表面与硫化镉种子层的粘附性；2)用水热法在硫化镉种子...
- 刘静伊福廷王波张天冲梁小筱颜铭铭徐源泽
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- 基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置研制及性能研究被引量：1
- 2018年
- 目的基于磁流变技术研制适用于微孔内壁抛光的装置。方法利用磁流变抛光液的性质,借鉴传统的抛光原理,设计并研制了适用于微孔内壁抛光的抛光装置,并对该装置进行了一系列的性能研究。基于该微孔内壁抛光装置对多孔镍样品及平片硅样品进行了不同条件下的抛光研究,并对抛光结果进行了分析。结果此抛光装置的性能研究结果表明,该装置产生的交变磁场均匀、稳定,符合模拟预期,可用于进一步的样品抛光研究。利用此抛光装置,虽然在多孔镍样品的抛光上没有较为明显的效果,但平片硅样品的粗糙度却由1.24 nm下降至0.56 nm,具有较大改善。在平片硅样品的抛光研究中,进一步发现随着时间的增加,其粗糙度不断下降。结论自行搭建的基于磁流变技术的微孔内壁抛光装置可对平片硅进行抛光。
- 周悦王雨婷伊福廷王波刘静张天冲
- 关键词：磁流变技术抛光装置磁感应强度
- 一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
- 本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
- 刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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- 硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法
- 本发明公开了一种硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法，该方法包括：在硅片表面生长一层氯化铯薄膜；将表面具有氯化铯薄膜的硅片放入一定湿度的通气腔体内显影，在硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构；对表面具有氯化铯纳米圆岛结构...
- 刘静伊福廷
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- 一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法
- 本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括：对硅片进行三氯氧磷扩散形成P-N结结构；去除硅片背面及侧面的P-N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未...
- 刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰
- 一种硅片表面纳米孔结构的制备方法
- 本发明公开了一种硅片表面纳米孔结构的制备方法，该方法包括：在硅片表面制备氯化铯岛结构；在带有氯化铯纳米岛结构的硅片表面蒸镀一层铝金属薄膜，放入去离子水中超声剥离，去掉氯化铯岛结构及其上的铝金属薄膜，得到多孔铝薄膜；以多孔...
- 刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰
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- 一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法
- 本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之...
- 刘静伊福廷张天冲王波张新帅孙钢杰王雨婷
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