夏建新
- 作品数：26 被引量：15H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件，特别涉及氮化镓基高电子迁移率晶体管。它是由衬底7上依次形成的成核层6、高电阻半导体层5和能带比高电阻半导体层5宽的势垒层4，以及势垒层4上的源极1、栅极2和漏极3，其中源极...
- 周伟靳翀杜江锋罗谦夏建新于奇杨谟华
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- 一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件
- 本实用新型公开了一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，...
- 徐开凯钱津超赵建明于奇刘继芝夏建新周伟
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- GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨
- 2006年
- 基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaNHEMT电流崩塌的表面态变化。
- 靳翀卢盛辉杜江锋罗谦周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌串联电阻表面态
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
- 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底上依次形成的成核层、GaN层和势垒层，以及势垒层上的源极、栅极和漏极，其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于...
- 杜江峰卢盛辉靳翀罗谦夏建新杨谟华
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- GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应被引量：1
- 2008年
- 采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放过程的动态平衡态。
- 罗谦杜江锋卢盛辉周伟夏建新于奇杨谟华
- 关键词：氮化镓表面态电流崩塌
- GaN基多层膜结构椭偏光谱研究
- 对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围内拟合得...
- 赵金霞杜江锋于奇于志伟夏建新杨谟华
- 关键词：多层膜结构椭圆偏振光谱INN薄膜
- 文献传递
- GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
- 2006年
- 基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。
- 罗谦杜江锋靳翀龙飞周伟夏建新杨谟华
- 关键词：GANHEMT电荷输运表面态电流崩塌
- 轻掺杂型集成电路衬底的噪声模型研究
- 本文简要分析了衬底噪声的基本机理，及其对混合信号电路的影响;主要研究了轻掺杂衬底噪声效应，根据模拟结果分析得出影响轻掺杂衬底噪声的几种因素(浓度、保护环)，及这些因素的变化对衬底噪声的所产生的影响，并提出了轻掺杂衬底噪声...
- 孙会许巧丽夏建新
- 关键词：衬底噪声数模混合电路保护环
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- 界面氧化层与GaN肖特基二极管电特性相关性研究
- 本文对不同浓度的n-GaN样品表面氧化层去除前后的肖特基接触的电学特性做了对比研究,通过对I-V,C-V特性的测量分析,量化了界面氧化层的存在对肖特基接触的电学性质的影响。实验发现氧化层的去除使肖特基接触的势垒高度降低0...
- 于志伟周伟罗谦杜江峰靳翀夏建新
- 关键词：势垒高度二极管肖特基接触电学特性
- 文献传递
- 脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
- 2005年
- 基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点。大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0(0.89+γT/16)的规律变化。分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间,并被表面态捕获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道电流减小,从而导致电流崩塌效应。该结论可望用于GaN HEMT器件在脉冲条件下电流崩塌效应进一步的理论探讨和实验研究。
- 龙飞杜江锋罗谦靳翀周伟夏建新杨谟华
- 关键词：电流崩塌效应GANHEMT表面态脉冲测试
