姜兆炎
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：牡丹江师范学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省科技攻关计划黑龙江省自然科学基金城市水资源与水环境国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 硼掺杂纳米金刚石膜的制备及其性能研究
- 硼掺杂纳米金刚石膜结合了掺硼金刚石膜良好的导电性能和纳米金刚石膜表面光滑、摩擦系数低等优点，在许多高新技术领域具有更为广阔的应用前景。本文采用直流热阴极PCVD设备，在间歇模式和连续生长模式下制备硼掺杂纳米金刚石膜。具体...
- 姜兆炎
- 不同氩气与氢气流量比对硼掺杂纳米金刚石膜的影响被引量：1
- 2011年
- 采用直流热阴极PCVD方法,以B(OCH3)3作为硼源,通过改变氩气与氢气流量比,在p型Si衬底上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜。研究了不同氩气与氢气流量比对掺硼金刚石膜生长的影响。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔系统等对样品的形貌、结构和导电性能进行了表征。结果表明,随着氩气与氢气流量比的增加,膜的晶粒尺寸由微米级向纳米级转变,并且膜中非晶碳成分增多,膜的导电性能变好。
- 姜兆炎彭鸿雁姜宏伟尹龙承
- 关键词：氩气硼掺杂
- 掺硼浓度对间歇法生长硼掺杂纳米金刚石膜的影响被引量：2
- 2011年
- 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)法,以硼酸三甲酯为硼源,通过金刚石膜的间歇式生长过程,制备硼掺杂纳米金刚石膜,研究不同的硼源流量对硼掺杂纳米金刚石膜的影响,并用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对样品进行了表征.
- 姜兆炎彭鸿雁姜宏伟尹龙承胡巍
- 关键词：PCVD
