姜秀英
- 作品数：26 被引量：127H指数：6
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学冶金工程电气工程更多>>
- 片式ZrO_2氧浓差电池的制作及其特性研究被引量：1
- 1991年
- 采用共沉淀方法制备YSZ粉料,经低温(1300℃)烧结,得到圆片状YSZ烧结体(Y_2O_3含量8mol%),采用热分解法涂制铂电极,采用新颖的热辐射压封法实现电解质圆片与Al_2O_3管封接,制成了氧浓差电池,测量了固体电解质的密度、电导率以及不同温度、不同氧分压、不同氧流量下浓差电池的电动势,通过电势一氧分压关系曲线和电势-氧流量曲线的实验测量,得到了与固体电解质电质、气体渗透性相关的参数。
- 王贤仁王启元王德君胡春谭万林姜秀英吴志芸
- 关键词：氧传感器
- MOCVD法生长ZnO薄膜的结构及光学特性被引量：16
- 2004年
- 采用MOCVD方法在c Al2 O3衬底上生长出了具有单一c轴取向的ZnO薄膜 ,采用X射线衍射 (XRD)、Raman散射、X射线光电子能谱 (XPS)及光致发光 (PL)谱等方法对ZnO薄膜的结构及光学特性进行分析测试。XRD分析只观察到ZnO薄膜 (0 0 0 2 )衍射峰 ,其FWHM数值为 0 1 84°。Raman散射谱中 ,4 35 32cm- 1 处喇曼峰为ZnO的E2 (high)振动模 ,A1 (LO)振动模位于 5 75 32cm- 1 处。XPS分析表明 :ZnO薄膜表面易吸附游离态氧 ,刻蚀后ZnO薄膜O1s光电子能谱峰位于 5 30 2eV ,更接近Zn—O键中O1s电子结合能 (5 30 4eV)。PL谱中 ,在3 2 8eV处观察到了自由激子发射峰 ,而深能级跃迁峰位于 2 5 5eV ,二者峰强比值为 4 0∶1 。
- 马艳杜国同杨天鹏杨天鹏张源涛李万程姜秀英
- 关键词：ZNO薄膜金属有机化学气相沉积光致发光光谱
- 具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器被引量：3
- 1995年
- 本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果．所用的外延片是由分子束外延生长的，下镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器，上镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成．器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成．器件初步研制已实现了室温脉冲激射，阈值最低３２０ｍＡ，最大峰值功率可达９ｍＷ．
- 杜国同姜秀英刘素平刘颖高鼎三
- 关键词：激光器钨丝质子轰击
- 等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究被引量：2
- 2001年
- 用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石 (α Al2 O3)上生长了ZnO薄膜 ,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值 ,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量 ,其结果是 :退火薄膜的电子浓度低达 10 15/cm3 量级、激光阈值降低近 30倍、X光衍射峰半高宽是 0 .2 9°、在 388nm附近的光致发光谱峰半高宽为 0 .32nm。
- 王金忠王新强王剑刚姜秀英杨树人杜国同高鼎三LIU XiangCAO HuiXU JunyingCHANG R P H
- 关键词：光致发光激光阈值氧化锌薄膜
- 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：3
- 1995年
- 本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．
- 刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
- 关键词：半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
- 低温烧结YSZ的显微结构和直流电导特性被引量：3
- 1991年
- 采用共沉淀方法合成 YSZ 微细粉料,经低温(1573K)烧成具有较高密度和较低气孔率的 YSZ 烧结体,测量了烧结体的组成、结构、密度和直流电导率,并通过对粉料形貌和烧结体的显微结构考察,总结和探索了粉料制备、坯体成型及烧结条件对材料的伏安特性,测量电流对电导率的影响,并对导电机制作了较深入的分析和讨论。
- 王贤仁王德君王启元胡春谭万林姜秀英吴志芸
- 关键词：YSZ烧结体显微结构
- 一种新型半导体超辐射集成光源
- 1998年
- 为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率，有望成为新一代大功率超辐射光源。
- 赵永生杜国同姜秀英韩伟华李雪梅宋俊峰高鼎三
- 关键词：超辐射发光管集成光源半导体光电器件
- 等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜被引量：8
- 2002年
- 利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．
- 王新强杨树人王金忠李献杰殷景志姜秀英杜国同杨如森高春晓Ong H.C.
- 关键词：等离子体增强MOCVD法ZNO薄膜原子力显微镜半导体薄膜
- AlGaAs短波长超辐射集成光源
- 1998年
- 设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。
- 赵永生孙中哲李雪梅宋俊峰王之岭姜秀英杜国同GregoryDevaneKathleenA.StairR.P.H.Chang
- 关键词：半导体光放大器集成光源铝镓砷
- 阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
- 1995年
- 报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．
- 邢进刘素平姜秀英赵方海曲轶杜国同
- 关键词：发光二极管SLD
