孔金丞
- 作品数：123 被引量：75H指数：5
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究被引量：3
- 2015年
- HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。
- 李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞朱颖峰庄继胜姬荣斌
- 关键词：表面钝化MIS器件C-V
- 一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置
- 本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置，该方法包括：利用PBN坩埚作为载体，在PBN坩埚内进行高温合成，实现碲锌镉多晶体材料的制备；同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出，增加高强度密封盖...
- 姜军孔金丞赵鹏陈少璠姬荣斌赵文袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云
- 一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器
- 本发明涉及光电子技术领域，尤其是光导型有机半导体探测器。本发明公开了一种近红外可见光的OPV碘掺杂的光伏型的有机探测器，在衬底上设置各功能层构成，包括衬底（1），金属或透明导电极（3）、空穴传输层（4）以及有机光敏层（2...
- 唐利斌姬荣斌项金钟田品孔金丞袁俊太云见赵鹏
- 文献传递
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
- 可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法
- 本发明提供了一种可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法，该石墨舟包含盖板、工字块、滑块、垫块和基座；滑块用于放置垫块，液相外延生长时衬底放置于垫块上；基座、滑块、工字块、盖板四个部分从下向上依次组装在一起；工...
- 宋林伟孔金丞万志远李达李培源毛旭峰杨岸宋魏华朱辉陆骏
- 文献传递
- 一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置
- 本发明公开了一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置，该装置包括PBN坩埚、支撑装置、碲锌镉材料、石英坩埚容器及加热单元；碲锌镉材料装入PBN坩埚并密封于石英坩埚容器内；石英坩埚容器置于支撑装置上；PBN坩埚包括籽晶引晶...
- 孔金丞姬荣斌姜军赵鹏赵增林陈少璠赵文庹梦寒贺政蔡春江李向堃
- 文献传递
- 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法
- 一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备，该靶...
- 孔金丞孔令德赵俊王光华张鹏举姬荣斌
- 文献传递
- 半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法
- 半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，涉及半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，尤其是使用廉价的乙二醇和硫酸为原料，使用工艺简单的液相化学反应法制成溶液然后旋涂再高温退火处理得到光电性能良好的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法。...
- 唐利斌姬荣斌项金钟张倩袁绶章赵俊孔金丞郑云魏虹洪建堂铁筱滢左大凡康蓉王向前王燕韩福忠
- 高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究
- 2023年
- 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。
- 覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊
- 关键词：中波红外碲镉汞噪声等效温差
- MBE生长中波HgCdTe薄膜材料温度控制被引量：2
- 2007年
- 报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延CdTe缓冲层和中波HgCdTe薄膜的温度控制过程。通过红外测温仪监测样品表面温度,来改变加热功率,从而把温度控制在需要的生长温度范围。通过此方法,可以把CdTe生长时样品的表面温度控制在±5℃,MCT生长时可以达到±1℃。生长得到的样品,表面光亮,组分、厚度均匀性好,X射线双晶回摆曲线半峰宽为72 arcsec。
- 李艳辉王善力宋立媛孔金丞赵俊张筱丹唐利斌姬荣斌
- 关键词：HGCDTEMBE红外测温仪
