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孙浩

作品数:59 被引量:25H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市基础研究重大(重点)项目更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 33篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 28篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 13篇二极管
  • 11篇异质结
  • 9篇INP基
  • 7篇天线
  • 7篇磷化铟
  • 7篇晶体管
  • 6篇异质结双极晶...
  • 6篇双极晶体管
  • 6篇DHBT
  • 5篇双异质结
  • 5篇太赫兹
  • 5篇全息
  • 5篇全息成像
  • 5篇肖特基
  • 5篇芯片
  • 5篇毫米波
  • 5篇赫兹
  • 5篇超材料
  • 4篇电路
  • 4篇砷化镓

机构

  • 59篇中国科学院
  • 4篇上海大学
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇中国科学院研...
  • 2篇上海科技大学
  • 1篇东华大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 59篇孙浩
  • 39篇孙晓玮
  • 20篇钱蓉
  • 15篇李凌云
  • 15篇齐鸣
  • 14篇徐安怀
  • 13篇艾立鹍
  • 12篇王伟
  • 9篇朱福英
  • 8篇佟瑞
  • 7篇周健
  • 5篇滕腾
  • 5篇贺连星
  • 5篇时翔
  • 5篇关福宏
  • 5篇李彪
  • 4篇孙芸
  • 4篇陈雯芳
  • 3篇刘传全
  • 2篇毛红菊

传媒

  • 4篇电子测量技术
  • 4篇电子器件
  • 3篇Journa...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇现代雷达
  • 1篇半导体光电
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第一届全国太...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
59 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量:1
2007年
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1~20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英
关键词:异质结双极晶体管INPGAASSB碳掺杂气态源分子束外延
一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料
本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料,包括衬底和金属层单元,所述金属层单元上设有电磁谐振单元;所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环;所述闭合环位于两个开口谐振环之间;所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设...
贺连星孙晓玮郭万易李彪滕腾孙浩张祁莲
一种小型化高增益超材料喇叭天线
本发明提供一种小型化高增益超材料喇叭天线,包括喇叭天线本体,所述喇叭天线本体上设有自输出端口面向内延伸的一台阶孔,该台阶孔内固定有一用于使所述输出端口面的电磁波相位分布均匀化的相位分布调整模块;所述相位分布调整模块包括至...
李凌云黄彬孙浩孙芸佟瑞
文献传递
异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关优化设计及其成像应用
2021年
以主动式毫米波全息成像的应用为背景,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关为安检成像领域的关键核心器件,为此提出一种基于高、低阻抗变换线的补偿结构以优化高频处的匹配程度。设计合适的毫米波倍频链路、低插入损耗的带通滤波器以及低插入损耗和高隔离度的开关通道阵列,实现一款满足系统要求的输出功率和一致性且谐波抑制良好的发射前端。结果表明,在28~34 GHz频段内,各通道的输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于22 dBc,通道间的隔离度大于23 dB,通道间的差异小于2 dB,满足主动成像发射端的要求。集成相应天线阵列和接收前端后进行成像实验,可以得到分辨率为0.5 cm的毫米波成像。
王泽宇李辰辰高一强孙浩杨明辉孙晓玮
关键词:光学设计毫米波成像PIN二极管散射参数
一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端
本实用新型提供一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端,包括三维定位装置、远程传输装置、MCU、能量储存装置、能量捕获装置及充电控制电路;MCU设置为控制三维定位装置采集待追踪资产的三维位置信息,并控制远程传输装置将三维位...
周健孙谦晨叶金晶孙浩钱蓉孙晓玮
文献传递
用于太赫兹振荡源的InP基共振隧穿二极管
利用空气桥隔离技术研制出了平面结构InP基共振隧穿二极管(RTD).室温下,RTD器件显示出良好的负阻和频率特性.对于发射极面积为π×7.52 μm2的器件,峰值电流密度为24kA/cm2,峰谷电流比大于40.通过S参数...
王伟孙浩李凌云孙晓玮
关键词:共振隧穿二极管
文献传递
一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料
本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料,包括衬底和金属层单元,所述金属层单元上设有电磁谐振单元;所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环;所述闭合环位于两个开口谐振环之间;所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设...
贺连星孙晓玮郭万易李彪滕腾孙浩张祁莲
文献传递
一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法
本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法,其结构包括:半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层;P型高掺...
孙浩王伟李凌云艾立鹍徐安怀孙晓玮齐鸣
文献传递
一种用于全息成像安检系统的毫米波收发模块
本发明提出一种用于全息成像安检系统的毫米波收发模块,包括毫米波射频收发前端1、毫米波收发开关树2以及毫米波收发天线阵列3。毫米波射频发射前端通过发射开关树的快速电子切换,经毫米波发射天线阵列,顺序向被检目标发射毫米波信号...
时翔孙晓玮钱蓉孙浩李凌云关福宏李江夏陈敏华刘传全
文献传递
一种光伏自供能、遥控车位地锁管理系统及其实施方法
本发明公开了一种光伏自供能、遥控车位地锁管理系统及其实施方法,其特征在于所述的管理系统由供能单元、电控单元、储能单元和机械翻转机构组成;其中供能单元由晶体硅太阳电池串联组成;电控单元包括中央控制单元,充放电单元,无线收发...
周健孙浩钱蓉孙晓玮
文献传递
共6页<123456>
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